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标题: Vishay推出P通道TrenchFET功率 MOSFET Si8445DB [打印本页]

作者: juliguo    时间: 2008-6-19 15:19     标题: Vishay推出P通道TrenchFET功率 MOSFET Si8445DB

Vishay推出新型 20V p 通道 TrenchFET?功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB,该器件采用 MICRO FOOT 芯片级封装,具有业界最小占位面积以及 1.2 V 时业界最低的导通电阻。

随着便携式电子设备的体积越来越小以及它们功能的不断增加,电源管理电路的可用板面空间会极大减少。为实现消费者对用电池做电源的电子设备的更长运行时间的期望,设计人员需要具有低功耗的更小 MOSFET 封装---这恰恰是新型 Vishay Siliconix Si8445DB 所具有的特点。






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