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标题: 请教关于XEP100的flash操作 [打印本页]

作者: wangyu409    时间: 2008-8-7 15:55     标题: 请教关于XEP100的flash操作

XEP100的Flash操作不是很明白,比如写操作,按照Datasheet说的Load Data Field Command。是不是要写4个字啊,如果只想写3个该怎么办?因为发现如果CCOBIX不为101(写第4个字时的值)ACCERR就会SET。也就是产生错误。

还有就是Read Once Command是什么意思?

感觉DP系列的用FCMD就可以了,只要求是偶地址。XEP100就很麻烦啊要求[2:0]必须为000.

还有分页操作也想请教一下,XEP100是不是不用管PPAGE?


作者: ganhuaren    时间: 2008-11-18 16:41

wo 也在找呢!
作者: GaoTristone    时间: 2008-11-19 00:30

请参阅贴子:

http://bbs.eccn.com/ecbbs/dispbbs.asp?boardID=3&ID=91133&page=9

关于分页操作:s12xe的RAM,EEPROM, FLASH均分页,相应的页面寄存器为RPAGE,EPAGE,PPAGE.

另外还可以通过GPAGE来访问所有的空间,但1)必须通过特殊的12条读写指令,且:2)仅限于读写数据,GPAGE不支持指令读取。

Codewarrior的compiler会替您正确管理这些页面寄存器,写C代码时不必关注。






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