标题: 请问关于9S12NE64的EEPROM使用问题 [打印本页]
作者: haoyew 时间: 2009-2-9 12:41 标题: 请问关于9S12NE64的EEPROM使用问题
情况描述：
设备中希望能够保存掉电前的参数。以前使用的MCU有内部EEPROM，很容易处理。现在使用NE64，数据手册上没有单独的EEPROM，但是感觉可以用flash来构造。在数据手册中可以看到寄存器INITEE和MEMSIZ0来分配EEPROM。但是在工程中，NE64的头文件压根都没有INITEE这个寄存器。想请问一下这是怎么回事？
如果说NE64没有EEPROM可以使用，有没有替代办法呢？实在不想为了几个字节的参数再外挂一片存储片。
多谢了！
作者: strongchen 时间: 2009-2-10 11:18
INTEE是用来映射内置EEPROM地址的。如果MCU内没有内置EEPROM，当然也就没有INTEE寄存器了。
作者: haoyew 时间: 2009-2-10 13:01
那能否用一段flash来模拟eeprom呢？在其数据手册中flash这一章有这么一段话：The FPROT register, described in Section 2.3.2.5, “Flash Protection Register (FPROT)”, can be set to globally protect a Flash block. However, three separate memory regions, one growing upward from the ?rst address in the next-to-last page in the Flash block (called the lower region), one growing downward from the last address in the last page in the Flash block (called the higher region), and the remaining addresses in the Flash block, can be activated for protection. The Flash locations of these protectable regions are shown in Table 2-2. The higher address region is mainly targeted to hold the boot loader code
because it covers the vector space.The lower address region can be used for EEPROM emulation in an MCU without an EEPROM module because it can remain unprotected while the remaining addresses are protected from program or erase。最后一句话的意思应该是可以那样做啊。
作者: fjczd 时间: 2009-2-10 13:43
以下是引用haoyew在2009-2-9 12:41:00的发言：情况描述：
设备中希望能够保存掉电前的参数。以前使用的MCU有内部EEPROM，很容易处理。现在使用NE64，数据手册上没有单独的EEPROM，但是感觉可以用flash来构造。在数据手册中可以看到寄存器INITEE和MEMSIZ0来分配EEPROM。但是在工程中，NE64的头文件压根都没有INITEE这个寄存器。想请问一下这是怎么回事？
如果说NE64没有EEPROM可以使用，有没有替代办法呢？实在不想为了几个字节的参数再外挂一片存储片。
多谢了！
保存掉电前的数据，是不是要在电源附近并一个大电容？因为掉电是很快的啊
我原来也想过这个问题，感觉应该加个大电容才行
楼主是这么做的么？
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