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标题: EDX5116ABSE:3.2GHz 512Mb XDR DRAM [打印本页]

作者: ljp099 时间: 2005-3-31 14:41 标题: EDX5116ABSE:3.2GHz 512Mb XDR DRAM

3月30日讯,Elpida Memory公司推出工作在3.2GHz的512Mb XDR DRAM存储器EDX5116ABSE,在单一器件内提供一流的数据传输速率6.4GBps.它可用在数字消费类电子设备.XDR DRAM架构为下一代存储器的应用如数字电视和家庭服务器提供了最高的性能,这些应用需要高带宽来支持高端图像,极好的数字图像和先进的多媒体.XDR DRAM是基于Rambus 公司开发的XDR存储器接口技术.

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