5、基本的读写操作：
SDRAM的基本读操作需要控制线和地址线相配合地发出一系列命令来完成。先发出BANK激活命令（ACTIVE），并锁存相应的BANK地址（BA0、BA1给出）和行地址（A0～A12给出）。BANK激活命令后必须等待大于tRCD(SDRAM的RAS到CAS的延迟指标)时间后，发出读命令字。CL（CAS延迟值）个工作时钟后，读出数据依次出现在数据总线上。在读操作的最后，要向SDRAM发出预充电（PRECHARGE）命令，以关闭已经激活的页。等待tRP时间（PRECHARGE）命令，以关闭已经激活的页。等待tRP时间（PRECHAREG命令后，相隔tRP时间，才可再次访问该行）后，可以开始下一次的读、写操作。SDRAM的读操作只有突发模式（BurstMode），突发长度为1、2、4、8可选。SDRAM的基本写操作也需要控制线和地址线相配合地发出一系列命令来完成。先发出BANK激活命令（ACTIVE），并锁存相应的BANK地址（BA0、BA1给出）和行地址（A0～A12给出）。BANK激活命令后必须等待大于tRCD的时间后，发出写命令字。写命令可以立即写入，需写入数据依次送到DQ（数据线）上。在最后一个数据写入后延迟tWR时间。发出预充电命令，关闭已经激活的页。等待tRP时间后，可以展开下一次操作。写操作可以有突发写和非突发写两种。突发长度同读操作。
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6、AT91sam9260SDRAM
型号MT48LC16M16A2，为4MB*4*16bit=32MB，采用双片级联构成32位64MB的SDRAM。SDRAM采用地址信号线复用。行寻址使用A0-A12，寻址范围8K字节；列寻址使用A0-A8，寻址范围512字节；bank寻址使用BA0-BA1，寻址四个bank。使用额外的四根信号线连接两片SDRAM的BA[1:0]。
AT91SAM9260使用SDRAMC初始化SDRAM初始化顺序如下：
a、 设置配置寄存器SDRAMC_CR，填入寄存器中的值单位均为时钟周期：
NC：Number ofColumn Bits，9
NR：Number of RowBits,13
NB: Number of banks，4
CAS：CASLatency，2-3
DBW：数据位宽32位
tWR：Write RecoverTime，14ns
tRC：Row CycleDelay，默认值7
tRP：Row PrechargeDelay，默认值3
tRCD：Row To ColumnDelay，15-20ns
tRAS：Active To PrechargeDelay，37-44ns
tXSR：Exit Self Refresh To ActiveDelay，67-75ns
b、 |
