S3C2440与SDRAM NorFlash NandFlash连线分析（2）

yuyang911220

二、NOR FLASH（AM29LV160DB）的接线分析  

       NOR FLASH 的地址线和数据线是分开的。AM29LV160DB 是一个2Mbyte 的NOR FLASH，分区结构是：

  

1个16Kbyte扇区，2个8Kbyte扇区，1个32Kbyte扇区，31个64Kbyte扇区（字节模式）；

  

1个8Kbyte扇区，2 个4Kbyte扇区，1个16Kbyte扇区，31个32Kbyte扇区（半字模式）；

  

共35个扇区。引脚如下：

设计原理图如下：

说明：

  

AM29LV160DB 第47 脚是BYTE#脚，BYTE#接高电平时，器件数据位是16 位，接低电平时，数据位是8 位。

  

上图BYTE#接VCC，D0-D15 做为数据输入输出口。A0-A19 是地址线，在半字模式下，D0-D15 做为数据输入输出口。因为数据位是16 位，A0-A19 可以选择2^20 = 1M *2BYTE = 2Mbyte。正好是AM29LV160DB 的容量。

  

S3C2440 的ADDR1要接AM29LV160DB 的A0。上图中AM29LV160DB 的A20，A21是空脚，分别接的是LADDR21,LADDR22。这应该是为了以后方便扩展NOR FLASH 的容量。LADDR21,LADDR22 对AM29LV160DB是没用的。

  

当BYTE#接低电平时，D0-D7 做为8 位数据输入输出口，D15做为地址线A-1。相当于有了A-1,A0-A19 共21 根地址线。这个时候S3C2440 的ADDR0 应该接在D15（A-1）………，ADDR20 接A19。21根地址线的寻址空间是2^21 = 2Mbyte。正好是AM29LV160DB的容量。

三、与NAND FLASH(K9F1208)的接线分析  1 、K9F1208 结构如下图

K9F1208 位宽是8位（I/O0～I/O7）。

  一页：1Page = 512byte + 16byte 最后16byte是用于存储校验码和其他信息用的，不能存放实际的数据。

  一块有32 page：1block = 32* (512byte + 16byte) =（16k+512）byte
  K9F1208 有4096 个块：

  1 device = 4096 *32* (512byte + 16byte) = (64M+2M)byte，总共有64Mbyte可操作的芯片容量

  NAND FLASH 以页为单位读写数据，以块为单位擦除数据。

  其引脚如下：




S3C24440 和K9F1208 的接线图如下：


当选定一个NAND FLASH 的型号后，要根据选定的NAND FLASH 来确定S3C2440 的NCON,GPG13,GPG14,GPG15 的状态。

  下图是S3C2440 中4个脚位状态的定义


K9F1208 的一页是512byte，所以NCON 接低电平，GPG13 接高电平。

  K9F1208 需要4个寻址命令，所以GPG14 接高电平

  K9F1208 的位宽是8，所以GPG15 接低电平。
  NAND FLASH 寻址：

  对K9F1208 来说，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8 位。地址传递分为4 步，如下图：