MEMS创新工艺带来更大设计自由度 自由度, 创新

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来自英国苏格兰的Point35Microstructure创建于2003年，以提供各种高质量的翻新半导体制造系统起家。2004年，该公司进入MEMS领域，推出了自有的messtar系统。
目前晶圆厂中鲜有专为MEMS制造而设计的。相反，大部分都采用已有的设备进行MEMS生产。虽然部分MEMS制造的确可以采用现有的光刻、薄膜气相沉积等工艺进行，但诸如深反应离子蚀刻、等向性蚀刻、抗粘滞薄膜等被认为是MEMS发展趋势工艺制程却必须要使用特定的制造设备。
传统的MEMS工艺主要以干法蚀刻为主，不过由于它是一种垂直工艺，比如在如图所示的需要横向工艺来将底部掏空的场合就无法胜任。这会对MEMS设计工程师的自由度造成局限，进而影响到他们无法再特定的器件技术下无法选择最优的工艺集成方案。此外，湿法刻蚀(如KOH溶液)还无法同CMOS技术兼容，并带来工艺控制程度低、释放粘滞(Releasestiction)、对集成电路可能造成破坏以及环境问题等诸多不良影响。
MEMS 制造如何摆脱湿法刻蚀带来的困境？选择新的材料无疑是一条必由之路。不过，这里要强调的是，寻找一种能适应某种工艺的材料可能是一个错误的方向。 Point35的选择是——寻找一种能够适应器件需求的材料。这就是被称之为牺牲性汽相释放(SVR)模块技术的由来。
与湿法化学的蚀刻不同，SVR可以完全取出材料而不损坏机械结构或产生黏附问题，而且还具有高度的可选择性、可重复性以及均匀性。此外，SVR保留了干燥的表面，省去了包含在湿法工艺中的表面准备、引入酸、中和以及随后的干燥等步骤。而同CMOS工艺兼容的优势也令MEMS器件如IC般在相同的设施和基板上进行生产，并适用于新类型的单芯片MEMS/CMOS器件。
Point35Microstructure的SVR工艺采用XeF2作为升华物(SublimatingSolid)，无水氢氟蒸汽aHF来去除牺牲氧化物，从而释放MEMS机械结构。