【晒FRAM铁电存储器样片】+从几个EEPROM的失效案例看FRAM的优势

存储器, 用户, 产品

我们的产品中大量地使用了EEPROM，多年使用下来，遇到了一些EEPROM的使用失效的情况，虽然也采取一些措施，避免产品故障，但现在和FRAM比较起来，FRAM可以很大程度上避免这些失效现象的出现和性能的下降。

案例一：

一个产品，产品测试都没有问题，但在一个用户那里，使用一个月以后就出现EEPROM故障。换了一个给用户，结果一个月之后EEPROM又出现故障。是什么导致EEPROM失效的呢？询问客户了解到，用户利用上位机发送命令修改设定频率、多段频率等参数，频率比较高，使用一个多月便报EEPROM故障了。因为EEPROM擦写次数是有限制的，即EEPROM的寿命，一般为10万次，质量好的标称100万次，那都是实验室的数据，实际情况会略差。如果秒级为单位修改一次，则通常几天内~1个月左右就都损坏了。看来是由于频繁改写EEPROM导致的失效，察看产品使用的通信协议，发现修改方式只提供了直接写EEPROM的方式，没有只写RAM的方式。后来改为上位机发送命令修改后，先保存在RAM中，设备收到关机命令后，先把RAM中的数据写入EEPROM后，在正式关机。这样解决了EEPROM频繁擦写导致的故障。

如果产品中使用了FRAM，FRAM的擦写次数在10的12次方（万亿）次，远远多于EEPROM的擦写次数，也可以避免产品掉电，导致修改后的配置数据没来得及写入EEPROM中的产品缺陷。所以我们决定在后续产品优化时使用FRAM替代EEPROM.

案例二：

另外一个产品，也是发货没多长时间就报EEPROM故障。经过分析后发现，为了提高写入速度，我们的EEPROM采用了页写的方式。但是在某种状态下，会有频繁的多个地址的字节分别写入。每次写一个地址时都调用页写命令，都会擦除一次。结果很快超出EEPROM的擦写寿命，导致EEPROM损坏。当时的措施是找出这些特殊的状态，改成字节写入的方式，避免了EEPROM损坏，但是EEPROM存储数据的速度降低了，导致产品某项参数变差。为了保持或提高该产品参数，我们在优化产品中采用了SRAM加后备电池的方案，但是会零星出现后备电池掉电或电磁干扰导致SRAM掉电，参数丢失的产品失效。

如果产品中使用了FRAM，FRAM的每次擦写没有5mS的等待，而且FRAM的擦写次数在10的12次方（万亿）次，远远多于EEPROM的擦写次数，存储数据的速度可以提高，并且掉电数据不丢失，产品的某项参数可以变得更好。

从上面两个例子看，FRAM的10的12次方（万亿）次擦写次数、每次擦写没有5mS的等待时间和掉电数据不丢失这三个显著地优势可以给我们的产品带来更好的性能和更好的用户体验。

收藏分享评分

回复引用

订阅 TOP