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去耦电容

去耦电容

本帖最后由 look_w 于 2017-9-22 21:40 编辑

去耦电容器......是否真的有必要?
2013-9-17 10:14

作者:    德州仪器

在担任应用工程师之前,我在TI 的职位是 IC 测试开发工程师。我的项目之一是对 I2C 温度传感器进行特性描述。在编写一些软件之后,我手工焊接了一个原型设计电路板。由于时间仓促,我省去了比较麻烦的去耦电容器。谁会需要它呢,对吧?  

我收集数据大概有一个星期了,但获得的任何结果都无法与预期结果相匹配。于是我做了大量更改,试图提升性能,但都没有效果。最后,我决定添加一个去耦电容器,不出所料,问题解决了。

这让我不禁思考……,会不会总是需要使用去耦电容器?它的作用到底是什么?

要回答这个问题,需要考证在不使用去耦器件时会出现什么问题。

图 1 为带去耦电容器和不带去耦电容器(C1 和C2)情况下用于驱动 R-C 负载的缓冲电路。我们注意到,在不使用去耦电容器的情况下,电路的输出信号包含高频 (3.8MHz) 振荡。对于没有去耦电容器的放大器而言,通常会出现稳定性低、瞬态响应差、启动出现故障以及其它多种异常问题。


图 1:采用去耦和不采用去耦的缓冲电路(测量结果)



图 2 阐述了为什么去耦非常重要。需要注意的是,电源线迹的电感将限制暂态电流。

去耦电容与器件非常接近,因此电流路径的电感很小。在暂态过程中,该电容器可在非常短的时间内向器件提供超大量的电流。

未采用去耦电容的器件无法提供暂态电流,因此放大器的内部节点会下垂(通常称为干扰)。无去耦电容的器件其内部电源干扰会导致器件工作不连续,原因是内部节点未获得正确的偏置。


图 2:带去耦合和不带去耦合情况下的电流



除了使用去耦电容器外,您还要在去耦电容器、电源和接地端之间采取较短的低阻抗连接。

图 3 将良好的去耦合板面布局与糟糕的布局进行了对比。您应始终尝试着让去耦合连接保持较短的距离,同时避免在去耦合路径中出现通孔,原因是通孔会增加电感。大部分产品说明书都会给出去耦合电容器的推荐值。如果没有给出,则可以使用 0.1uF。

  











图 3:良好与糟糕 PCB 板面布局的对比



正确连接去耦电容器会给您省去很多麻烦。即便在试验台上不使用去耦合电路也能工作得很好,但若进入量产阶段时再因工艺变化和其他实际因素的影响,您的产品可能就会出现这样或那样的问题。

吸取我的教训吧,别掉进不使用去耦合的陷阱里!

特别感谢我的同事 Ichiro Itoi 和 Tim Green,是他们帮助我找出去耦合问题并获得实际的测量结果。





在电子电路中,去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用,电容所处的位置不同,称呼就不一样了。对于同一个电路来说,旁路电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象,把前级携带的高频杂波滤除,而去耦电容也称退耦电容,是把输出信号的干扰作为滤除对象。去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方,用来消除自激,使放大器稳定工作。
德州仪器工程师Art Kay为我们深入浅出并运用了实际的测量结果分析了去耦电容的作用,以及没有去耦电容会出现故障以及其它多种异常问题,提示工程师们吸取教训,别掉进不使用去耦合的陷阱里!
ps:


在电子电路中,去耦电容都是起到抗干扰的作用,电容所处的位置不同,称呼就不一样了。对于同一个电路来说,旁路(bypass)电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象,把前级携带的高频杂波滤除,而去耦(decoupling)电容也称退耦电容,是把输出信号的干扰作为滤除对象。
去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方,用来消除自激,使放大器稳定工作。


去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方,用来消除自激,使放大器稳定工作。从电路来说,总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候,电流比较大,这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,由于电路中的,电阻(特别是芯片管脚上的电感,会产生反弹),这种电流相对常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作。这就是耦合。
  去藕电容就是起到一个电池的作用,满足电流的变化,避免相互间的耦合干扰。
  去耦和旁路都可以看作滤波。去耦电容相当于电池,避免由于电流的突变而使电压下降,相当于滤纹波。具体容值可以根据电流的大小、期望的纹波大小、作用时间的大小来计算。去耦电容一般都很大,对更高频率的噪声,基本无效。旁路电容就是针对高频来的,也就是利用了电容的频率阻抗特性。电容一般都可以看成一个RLC串联模型。在某个频率,会发生谐振,此时电容的阻抗就等于其ESR。如果看电容的频率阻抗图,就会发现一般都是一个V形的曲线。具体曲线与电容的介质有关,所以选择旁路电容还要考虑电容的介质,一个比较保险的方法就是多并几个电容。
相关作用  去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右。最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格,可按C=1/F,即10MHz取0.1μF,100MHz取0.01μF。
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