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芯片里面成千上万的晶体管,都是这么实现的(2)

芯片里面成千上万的晶体管,都是这么实现的(2)

4、上掩膜! (就是那个标注Cr的地方. 中间空的表示没有遮盖, 黑的表示遮住了.) -- 光刻



5、紫外线照上去... 下面被照得那一块就被反应了 -- 光刻



6、撤去掩膜. -- 光刻



7、把暴露出来的氧化层洗掉, 露出硅层(就可以注入离子了) -- 光刻



8、把保护层撤去. 这样就得到了一个准备注入的硅片. 这一步会反复在硅片上进行(几十次甚至上百次).  -- 光刻



9、然后光刻完毕后, 往里面狠狠地插入一块少量(10^14 ~ 10^16 /cm^3) 注入的N型物质就做成了一个N-well (N-井) -- 离子注入



10、用干蚀刻把需要P-well的地方也蚀刻出来. 也可以再次使用光刻刻出来. -- 干蚀刻



11、上图将P-型半导体上部再次氧化出一层薄薄的二氧化硅. -- 热处理



12、用分子束外延处理长出的一层多晶硅, 该层可导电 -- 分子束外延



13、进一步的蚀刻, 做出精细的结构. (在退火以及部分CVD) -- 重复3-8光刻 + 湿蚀刻13 进一步的蚀刻, 做出精细的结构. (在退火以及部分CVD) -- 重复3-8光刻 + 湿蚀刻



14、再次狠狠地插入大量(10^18 ~ 10^20 / cm^3) 注入的P/N型物质, 此时注意MOSFET已经基本成型. -- 离子注入

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