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芯片里面成千上万的晶体管,都是这么实现的(4)

芯片里面成千上万的晶体管,都是这么实现的(4)

SOI (Silicon-on-Insulator) 技术:

传统CMOS技术的缺陷在于: 衬底的厚度会影响片上的寄生电容, 间接导致芯片的性能下降. SOI技术主要是将 源极/漏极 和 硅片衬底分开, 以达到(部分)消除寄生电容的目的.

传统:



SOI:



制作方法主要有以下几种(主要在于制作硅-二氧化硅-硅的结构, 之后的步骤跟传统工艺基本一致.)1. 高温氧化退火:



在硅表面离子注入一层氧离子层



等氧离子渗入硅层, 形成富氧层



高温退火



成型.

或者是2. Wafer Bonding(用两块! )不是要做夹心饼干一样的结构吗? 爷不差钱! 来两块!



来两块!



对硅2进行表面氧化



对硅2进行氢离子注入对硅2进行氢离子注入



翻面

将氢离子层处理成气泡层将氢离子层处理成气泡层





切割掉多余部分切割掉多余部分



成型! + 再利用



光刻



离子注入离子注入



微观图长这样:



再次光刻+蚀刻

撤去保护, 中间那个就是Fin撤去保护, 中间那个就是Fin





门部位的多晶硅/高K介质生长门部位的多晶硅/高K介质生长



门部位的氧化层生长门部位的氧化层生长



长成这样



源极 漏极制作(光刻+ 离子注入)



初层金属/多晶硅贴片

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