首页 | 新闻 | 新品 | 文库 | 方案 | 视频 | 下载 | 商城 | 开发板 | 数据中心 | 座谈新版 | 培训 | 工具 | 博客 | 论坛 | 百科 | GEC | 活动 | 主题月 | 电子展
返回列表 回复 发帖

元器件采购必看:各国命名方式和型号说明大全 1

元器件采购必看:各国命名方式和型号说明大全 1

第一部分:用符号表示器件用途的类型。

JAN-军级、

JANTX-特军级、

JANTXV-超特军级、

JANS-宇航级、

无—非军用品。

第二部分:用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。

第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。

N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。

第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。

多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:

JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管

JAN-军级、

2-三极管、

N-EIA注册标志、

3251-EIA登记顺序号、

A-2N3251A档。

四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法

德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。

这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下:

第一部分:用字母表示器件使用的材料。

A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、

B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、

C-器件使用材料的Eg >1.3eV如砷化镓、

D-器件使用材料的Eg <0.6eV如锑化铟、

E-器件使用复合材料及光电池使用的材料。

第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。

A-检波开关混频二极管、

B-变容二极管、

C-低频小功率三极管、

D-低频大功率三极管、

E-隧道二极管、

F-高频小功率三极管、

G-复合器件及其他器件、

H-磁敏二极管、

K-开放磁路中的霍尔元件、

L-高频大功率三极管、

M-封闭磁路中的霍尔元件、

P-光敏器件、

Q-发光器件、

R-小功率晶闸管、

S-小功率开关管、

T-大功率晶闸管、

U-大功率开关管、

X-倍增二极管、

Y-整流二极管、

Z-稳压二极管。

第三部分:用数字或字母加数字表示登记号。

三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、 一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。

第四部分:用字母对同一类型号器件进行分档。

A、B、C、D、E、、、表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。

除四个基本部分外,有时还加后缀,以区别特性或进一步分类。常见后缀如下:

1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母,表示稳定电压值的容许误差范围,字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%; 其后缀第二部分是数字,表示标称稳定电压的整数数值; 后缀的第三部分是字母V,代小数点, 字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

2、整流二极管后缀是数字,表示器件的最大反向峰值耐压值,单位是伏特。

3、晶闸管型号的后缀也是数字,

通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。 如:BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管,AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。

五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法

欧洲有些国家,如德国、荷兰采用如下命名方法:

第一部分:O-表示半导体器件。

第二部分:A-二极管、C-三极管、 AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。

第三部分:多位数字-表示器件的登记序号。

第四部分:A、B、C、表示同一型号器件的变型产品。
探索未知领域
返回列表