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模电数电学习笔记55条 2

模电数电学习笔记55条 2


31、场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管

32、Socket是一种插座封装形式,是一种矩型的插座;Slot是一种插槽封装形式,是一种长方形的插槽
33、晶振的测量方法:用万用表RX10K档测量石英晶体振荡器的正,反向电阻值.正常时应为无穷大.若测得石英晶体振荡器有一定的阻值或为零,则说明该石英晶体振荡器已漏电或击穿损坏
34、IO口输出高电平时,驱动能力最低,对外显示为推电流;IO口输出低电平时,驱动能力最大,对外显示为拉电流
35、外围集成数字驱动电路如果驱动的是感性负载,必须加限流电阻或钳住二极管
36、9013提供的驱动电流有300mA
37、输出数据应该锁存(外围速度跟不上,所以需要锁存),输入数据应该有三态缓冲(加入了高阻状态,不至于对内部的数据总线产生影响)
38、8位并行输出口(必须带有锁存功能):74LS377,74LS273.8位并行输入口(必须是三态门):74LS373,74LS244
39、串行口扩展并行口,并行输入口:74LS165。并行输出口:74LS164
40、键盘工作方式有三种:1、编程扫描方式2、定时扫描方式3、中断方式。还可以专门设计一个IO口用来进行双功能键的设计(上档键和下档键)
41、对于TTL负载,主要应考虑直流负载特性,因为TTL的电流大,分布电容小。对于MOS型负载,主要应考虑交流负载特性,因为MOS型负载的输入电流小,主要考虑分布电容
42、特别注意总线负载平衡的概念!
43、上拉电阻的好处:1、提高信号电平2、提高总线的抗电磁干扰能力(电磁信号通过DB进入CPU)3、抑制静电干扰(CMOS芯片)4、反射波干扰(长远距离传输)
44、稳压时,采用两级集成稳压芯片稳压效果更好
45、传输线的阻抗匹配:1、终端并联阻抗匹配(高电平下降)2、始端串联匹配(低电平抬高)3、终端并联隔直流匹配(RC串联接地)4、终端接钳位二极管
46、接地分两种:外壳接地(真正的接地)和工作接地(浮地)
47、在单片机中地的种类:数字地,模拟地,功率地(电流大,地线粗),信号地,交流地,屏蔽地
48、一点接地:低频电路(1MHZ以下)。多点接地:高频电路(10MHZ以上)
49、交流地与信号地不能公用,数字地和模拟地最好分开,然后在一点相连
50、揩振回路:可以选用云母、高频陶瓷电容,隔直流:可以选用纸介、涤纶、云母、电解、陶瓷等电容,滤波:可以选用电解电容,旁路:可以选用涤纶、纸介、陶瓷、电解等电容
51、二极管应用电路
(1)限幅电路---利用二极管单向导电性和导通后两端电压基本不变的特点组成,将信号限定在某一范围中变化,分为单限幅和双限幅电路。多用于信号处理电路中。
(2)箝位电路---将输出电压箝位在一定数值上。
(3)开关电路---利用二极管单向导电性以接通和断开电路,广泛用于数字电路中。
(4)整流电路---利用二极管单向导电性,将交流信号变为直流信号,广泛用于直流稳压电源中。
(5)低电压稳压电路---利用二极管导通后两端电压基本不变的特点,采用几只二极管串联,获得3V以下输出电压
52、高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般是0.1u,0.01u等,而去耦合电容一般比较大,是10uF或者更大
53、上拉电阻总结:
1、当TTL电路驱动COMS电路时,如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平(一般为3.5V),这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻,以提高输出高电平的值。
2、OC门电路必须加上拉电阻,才能使用。
3、为加大输出引脚的驱动能力,有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。
4、在COMS芯片上,为了防止静电造成损坏,不用的管脚不能悬空,一般接上拉电阻产生降低输入阻抗,提供泄荷通路。
5、芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平,从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。
6、提高总线的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。
7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰,加上下拉电阻是电阻匹配,有效的抑制反射波干扰。
从节约功耗及芯片的灌电流能力考虑应当足够大;电阻大,电流小。
从确保足够的驱动电流考虑应当足够小;电阻小,电流大。
54、上拉就是将不确定的信号通过一个电阻嵌位在高电平!电阻同时起限流作用!下拉同理!
55、旁路电容:产生一个交流分路,从而消去进入易感区的那些不需要的能量。去耦电容:提供一个局部的直流电源给有源器件,以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地(他的取值大约为旁路电容的1/100到1/1000)


        来源:csdn博客
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