LED照明中大功率驱动应用、开关电源英飞凌控制芯片

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英飞凌IDP2303A
描述
XDP™ IDP2303A是一款具有集成驱动器和600V耗尽单元的数字组合控制器，设计用于升压PFC和半桥LLC，目标为75W至300W的开关电源（SMPS）。


特性
•低待机功率的集成启动电池
•支持多模式PFC操作，优化效率曲线
•同步PFC和LLC脉冲串模式控制，带启动，以防止噪音
•配置PFC和LLC操作的综合参数
•FC/LLC/IC温度的可配置和全面保护功能。
•IEC62368-1认证的有源X帽放电功能
•具有数字UART接口的灵活IC参数设置支持PSU平台方法


优势
•无需辅助电源
•由于高度集成数字控制和减少外部组件，因此BOM数量少，外形尺寸小
•易于设计系统原理图和PCB布局
•更高的系统可靠性
•缩短开发周期，提高设计和生产灵活性


应用
•液晶电视电源
•一般SMPS
•电源适配器

英飞凌数字大功率控制芯片IDP2308

英飞凌继推出多模式数字化ZVS零电压反激控制器之后，再次推出了一款集成了PFC和LLC架构的控制器，型号IDP2308，简化初级侧设计并且可提供更高的转换效率和更低的待机功耗。LLC架构属于双管半桥谐振，采用谐振电感、励磁电感和谐振电容串联，故名LLC。
       LLC采用零电压开关（ZVS）软开关技术，具有工作频率高、损耗小、效率高、体积小的优点，可提高充电器功率密度。其谐振操作可实现全负载范围的软开关，减小开关损耗。从而成为高频和高功率密度设计的理想选择，适合固定电压输出，EMI特性更好。
       传统反激架构在开关管关闭的瞬间，变压器漏感生成的谐振尖峰需要RCD吸收电路来吸收，这会在一定程度上降低转换效率，以及开关损耗也会降低转换效率，从而不适合更大功率输出。
      开关电源输出功率提高以后，对应的对电网的干扰也会增大，为了提高功率因数，PFC电路成为必须要加入的一个环节。目前主流的解决方案是采用主动式PFC来提高功率因数，主动式PFC是一个BOOST电路，将整流后的脉动直流通过电感升压，采用一颗较小容量的电解电容滤波，还可提高适配器的功率密度。
      英飞凌IDP2308是一个数字多模式PFC和LLC控制器，集成了浮动高侧驱动器和启动单元。数字引擎为多模式操作提供高级算法，以支持整个负载范围内的最高效率，实现了全面且可配置的保护功能。DSO-14 封装仅需要最少的外部组件。集成的高压启动单元和先进的突发模式可实现低待机功率。此外，集成了一个一次编程 （OTP） 单元，以提供一组广泛的可配置参数，有助于简化相位设计。
      英飞凌IDP2308支持同步PFC和LLC突发模式控制，PFC驱动器可配置并支持多模式，优化效率。可配置非线性LLC VCO曲线，软启动可配置，支持交流电压感应和X电容放电，最高支持300kHz工作频率。可以充分利用GaN器件的高频优势，低Qg、低Coss和低导通阻抗，实现效率和功率密度的提高，性能明显优于LLC+传统MOS的搭配。IDP2308支持可配置的保护功能，外围元件极简。
      英飞凌IDP2308内建的处理器可使用dpVision软件通过半双工UART接口进行编程，配置PFC和LLC参数，使用内置的单次编程存储器进行参数存储。
英飞凌IDP2308将PFC和LLC控制器集成到一颗芯片上，首先是节省了占板面积和元件数量，这在寸土寸金的高功率密度适配器上显得尤为重要。芯片内部集成高压启动电路和高侧驱动器，简化外部电路，并且其PFC可与LLC同步联动，在轻载时可进一步降低待机功耗，节省能源。IDP2308内置的处理器可大范围配置PFC和LLC参数，适应设计。


特性
•多模PFC可配置PFC栅极驱动器
•同步PFC和LLC突发模式控制
•可配置非线性LLC VCO曲线
•可配置软启动
•VAC输入电压传感和通过HV引脚的X帽放电


优势
•集成600V启动电池
•基于无芯变压器技术的集成浮动驱动器
•数字多模式操作，实现更高的效率曲线
•通过直接X-cap放电功能和高级突发模式控制，支持低待机功率
•通过集成启动单元和突发模式消除辅助电源
•用于通信和在线配置的UART接口
•通过一次编程能力灵活设计各种参数

MPS同步整流驱动芯片MP6924AGS-Z

描述
MP6924AGS-Z是一款用于 LLC 谐振变换器同步整流的双路快速关断智能整流器。此 IC 可驱动 2 个 N-通道 MOSFETs,可将正向电压调节降至 Vfwd 值(大约 29mV),并能在开关电流变成负值之前关断 MOSFETs。
MP6924AGS-Z具有轻载功能，以便在轻载下闭锁栅极驱动器，将电流限制为 175μA。
MP6924AGS-Z快速关断功能可以使能连续导通模式（CCM）和断续导通模式（DCM）。
MP6924AGS-Z最大限度地减少了现有标准外部元器件的使用，采用 SOIC-8 封装。


特性
• 可驱动标准和逻辑电平 MOSFET
• 符合能效之星要求
• 快速关断总延迟为 35ns
• 4.2V 至 35V VDD 宽输入工作电压范围
• 轻载模式下静态电流大约为 175μA
• 支持 CCM、CrCM 和 DCM 工作模式
• 支持副边高端和低端整流
• 采用 SOIC-8 封装

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