首页 | 新闻 | 新品 | 文库 | 方案 | 视频 | 下载 | 商城 | 开发板 | 数据中心 | 座谈新版 | 培训 | 工具 | 博客 | 论坛 | 百科 | GEC | 活动 | 主题月 | 电子展
返回列表 回复 发帖

华润华晶CS1N60A23H

华润华晶CS1N60A23H

描述
CS1N60A23H,硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗,改善了开关性能并增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。包装形式为SOT-223,符合RoHS标准。


特征
快速切换
低导通电阻(Rdson≤15Ω)
低栅极电荷(典型数据:4nC)
低反向转移电容(典型值:2.6pF)
100%单脉冲雪崩能量测试


应用
适配器和充电器的电源开关电路。
代理NXP、IWATT、INFINEON、MPS、ON品牌驱动IC
相应方案的应用及元器件供应事宜,请联系 深圳市光华创新科技有限公司 销售部
陈先生  
WeChat:19168538202(手机同号)   
TEL:0755-8271-1345
QQ:2355284756         
E-mail: cs01kwanghua1@kwanghua.cn
代理NXP、IWATT、INFINEON、MPS、ON品牌驱动IC
返回列表