基于DS18B20测温系统解决方案 测温, 方案, 系统

emtronix20105

英创嵌入式主板以其优异的稳定性、独特的设计及方便使用等优点，在嵌入式领域占有一席之地。在工业现场，经常有监测环境温度的需求，本方案应用DS18B20为温度采集芯片，与英创嵌入式主板的GPIO相连，就可以组成完整的测温系统。由于DS18B20每条总线上可以最多接8个测温点，那么英创嵌入式主板至少可以接64个测温点。
      DS18B20数字温度计是DALLAS公司生产的1-Wire即单总线器件，具有线路简单，体积小的特点。实际应用中不需要外部任何元器件即可实现测温，测量温度范围在-55°C到+125°C之间，数字温度计的分辨率用户可以从9位到12位选择；并且内部有温度上、下限告警设置，使用非常方便。
      TO-92封装的DS18B20的引脚排列见图1，其引脚功能描述见表1。

图1  DS18B20管脚示意图
表1 DS18B20详细引脚功能描述：

序号	名称	引脚功能描述
1	GND	地信号
2	DQ	数据输入/输出引脚。开漏单总线接口引脚。 当被用着在寄生电源下，也可以向器件提供电源。
3	VDD	可选的VDD引脚。当工作于寄生电源时，此引脚必须接地。

DS18B20的使用方法
      由于DS18B20采用的是1-Wire总线协议方式，即在一根数据线实现数据的双向传输，而对嵌入式主板来说，硬件上并不支持单总线协议，因此，我们必须采用GPIO的方法来模拟单总线的协议时序来完成对DS18B20芯片的访问。在本示例中，只需把管脚2接英创嵌入式主板的GPIO，管脚3接5V电源，管脚1接地，就可以搭建起测试环境，如图二所示。如果需要测试多点温度，可以把多个DS18B20并起。

图2 嵌入式主板与DS18B20连接示意图      由于DS18B20是在一根I/O线上读写数据，因此，对读写的数据位有着严格的时序要求。DS18B20有严格的通信协议来保证各位数据传输的正确性和完整性。该协议定义了几种信号的时序：初始化时序、读时序、写时序。所有时序都是将嵌入式主板作为主设备，单总线器件作为从设备。每一次命令和数据的传输都是从主机主动启动写时序开始，如果要求单总线器件送回数据，在进行写命令后，主机需要启动读时序完成数据接收。数据和命令的传输都是低位在先。
      下面是18B20的时序图，根据时序的要求，改变GPIO的电平，可以完成18B20的操作。
DS18B20复位时序

图3 DS18B20复位时序      根据以上DS18B20的时序，初始化的函数如下：
      Init18b20()
      {
            char flag;
            OutBit(1);
            Delayus(1);
            OutBit(0);
            Delayus(600);    //复位信号480—960us
            OutBit(1);
            Delayus(60);     //等待15-60us
            if(ReadBit())   //检查存在电平，如果为低，说明18B20正确复位
            {
                  printf('init fail');
                  return false;    //detect 1820 fail!
            }
            else
            {
                  Sleep(1);      
                  OutBit(1);
                  return true;  //detect 1820 success!
            }
      }
      DS18B20的数据读写时通过时间间隙处理位和命令字来确认信息交换。
DS18B20的写时间隙
      当主机把数据线从逻辑高电平拉到逻辑低电平的时候，写时间隙开始。有两种写时间隙：写1时间隙和写0时间隙。所有写时间隙必须最少持续60us，包括两个写周期间至少1us的恢复时间。
      I/O线电平变低后，DS18B20在一个15us到60us的窗口内对I/O线采样。如果线上是高电平，就是写1，如果线上是低电平，就是写0。如图所示。

图4 DS18B20写时序图      void DS18B20::WriteByte(uchar wr)
      {
            uchar i;
            OutBit(1);
            Delayus(1);
            for (i=0;i<8;i++)   //写8bit
            {
                  OutBit(0) ;     // 总线拉低，写间隙开始
                  Delayus(10);   //延时 2-12us
                  OutBit(wr&0x01) ;  //写数据到总线
                  Delayus(30);    //在15us—60us之间采用
                  OutBit(1);   //释放总线
                  wr >>= 1;
                  Delayus(2);
            }
            Sleep(1);  //字节之间最好间隔的稍微长一点
      }
DS18B20的读时间隙
      当从DS18B20读取数据时，主机生成读时间隙。当主机把数据线从高电平拉到低电平时，读时间隙开始，数据线必须保持至少1us；从DS8B20输出的数据在读时间隙的下降沿出现后15us内有效。对于DS18B20的读时隙是从主机把总线拉低之后，在15微秒之内就得释放单总线，以让DS18B20把数据传输到单总线上。DS18B20在完成一个读时序过程，至少要60us才能完成。

图5 DS18B20读时序图      根据以上的读时序图，读字节函数如下：
      UCHAR DS18B20::ReadByte()
      {
            uchar i,u=0;
            OutBit(1);
            Delayus(1);
            for(i=0;i<8;i++)  //读一字节
            {
                  OutBit(0) ;   // 总线拉低，读间隙开始
                  Delayus(2);
                  OutBit(1) ;  //拉高总线
                  Delayus(4);  //在1-14us之内读取总线数据
                  u >>= 1;
                  if(ReadBit()==1)  u |= 0x80;  
                  Delayus(60);  //读取数据周期至少60us
                  OutBit(1) ;
            }
            return(u);
      }
      在读温度之前，要先启动温度转换，如果采用寄生电源供电，温度转换的时间应该大于500毫秒。对于一条总线的多个18B20来说，启动转换不需要匹配18B20的ROM地址。
      void DS18B20::StartConvert()
      {
            Init18b20 ();
            WriteByte(0xcc);     //跳过ROM
            WriteByte(0x44);     //启动转换命令
      }
      在读指定的18B20时，就要先发匹配命令，再发ROM序列号，具体请参考下面的程序：
      void DS18B20::TemperatuerResult(char id)
      {
            uchar i;
            Init18b20 ();
            WriteByte(0x55);      //匹配ROM地址
            for(i=0;i<8;i++)   //发18B20地址码
            {
                  WriteByte(b20rom[id]);  
            }
            WriteByte(0xbe);      //发读温度命令
            read_bytes(2);    //前2个字节为温度值
            temp=temp_buff[1]&0x0f; //去掉符号位
            temp=temp<<8;
            temp=temp+temp_buff[0];
            Temperature=temp*0.0625; //得到温度值
      }
      源程序请参考光盘源码。

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