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非易失性存储器是DS1225Y 64k的一65,536-bit、全静态,8192失RAM组织单词由8
位。每个NV存储器有一个自我包含的锂电池的能量来源及控制电路为不断地监控
超差条件。:当这种情况发生时,锂吗能源自动切换上写保护,防止无条件地激活数
据腐败。豪斯的地方可以使用内存的8 SRAMs现有8k x的直接符合最受欢迎的
bytewide 28-pin浸标准。这个DS1225Y还pinout的2764只读存储器或2864
EEPROM,允许直接的替代而增强效果。不受限制写周期的可执行,不需要额外的支
撑线路微-处理器的接口。找了很久的资料,好不容易在库IC上看到了特此分享,嘻嘻!! |
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