BFP740F:超低噪音6GHz硅锗碳HBT HBT, 噪音

8月31日讯,Infineon公司推出新型采用硅锗碳(SiGe:C)工艺技术的高性能射频(RF)半导体器件BFP740F.创新的SiGe:C技术是Infineon最新一代异质结双极晶体管(HBT)的基础,提供业界最低噪音的硅分立器件,在6GHz的噪音为0.75dB,6GHz的增益高达19dB. 随着推出的新型BFP740,Infineon所得到的硅性能,以前仅能用更昂贵的GaAs技术才能获得.