XEP100 BDM仿真时能写FLASH，直接运行时出错，为什么？
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XEP100 BDM仿真时能写FLASH，直接运行时出错，为什么？
我编了一个XEP100的bootloader,实现方法是将与FLASH操作有关的代码拷到RAM中运行，这样整个1M flash空间都能使用了。具体方法是当要执行FLASH操作时，用JMP跳到RAM中运行，执行完后还是用JMP跳回来。程序用BDM调试仿真通过了，没有任何问题，可是直接运行时，却出错了，单片机好像复位了，具体是在哪个地方复位还没查出来，我猜应该是FLASH操作过程中出错造成的。
很奇怪为什么BDM模式下运行成功了，为什么正常运行却不行呢？好像坛子里也有人遇到过同样的问题，不过没有解释和解决方法，不知现在有没有高手能解决这个问题了，不甚感激！！！ |
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刚流览完了坛里的历史帖子，好像这个问题被问题过很多次了，可是一直没有一个明确的解释和解决方法，版主唯一的解释是说有些寄存器在非BDM下不能被多次设置，关于这点数据手册上并没有特别说明，版主是否可以详细介绍一下，帮忙列出相关的寄存器呢。
再者，很多人是在FLASH操作的时候对出问题，擦写操作的寄存肯定要多次设置，所以是否是另有原因呢？ |
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好吧，没人理我，还好我自己把这个问题搞清楚了，关于FLASH的操作在BDM模式下和正常模式都是一样的，坛子中关于FLASH在正常模式下不能擦写的说法是不成立的，另外版主所说的某些寄存器不能多次赋值之说也没有找到根据。那么到底是什原因造成了BDM模式下和正常模式运行的区别呢，其实没区别，只是我们的错觉而已。
因为当我们使用BDM下程序时，它会将整个片子全部擦掉，仿真调试时写FLASH前不会擦写。而当你正常运行时，FLASH可能已经被编过程了，所以写之前必须擦除。而擦除操作一般耗时比较长，这样就会影响程序的正常时序。比如说我写的串口bootloader,因为我采用查询方式接受数据，所以如果擦除操作耗时太长的话，就会造成一些数据接收不到。
总之，大家在做FLASH操时，好好考虑一下由于FLASH擦写而占用的时间，以此来设计你的程序的时序，就不会出现我上面的问题了！ |
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