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TPC8017-H/8018-H:N沟功率MOSFET

TPC8017-H/8018-H:N沟功率MOSFET

6月9日讯,东芝美国电子元件公司(Toshiba America Electronic Components)推出能改善功率效率的MOSFET TPC8017-H (15-A)和TPC8018-H (18-A),它采用超高速度U-MOS III和铝丝键合,以改善导通电阻和栅极电荷。采用超声键合方法来代替焊接,器件的RDS(on)降低了34%,QSW降低了14%。
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