[求助]如何使用CW填充HC08的FLASH空白区 FLASH, 空白, 求助

l3hh

最近看了FS的一篇工程快报EB398/D，是关于防止代码跑飞的，其中提到应该将未使用的FLASH区全部填充安全代码，如SWI指令($83)+NOP指令($9D)，因为默认的$00(BRSET0)和$FF(STX)都不能用于自动改回PC指针。但我在CW3.1中试了半天也没找到填充方法，请知道的高手指点一下。

另外文中还提到闪存块保护的问题，因为闪存块保护寄存器FLBPR默认的擦除值($FF)会取消所有保护，对大多数HC08单片机来说，FLBPR本身也是闪存寄存器，所以如何修改这一特定地址的闪存也请高手指点指点，谢谢！

tianlan_316

我是这样填充的，然后在软件中断程序中处理相应的错误。至于填充多少字节，可以在仿真模式中看到自己填充的区域。

TABLE_SWI: FCB $83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83

           FCB $83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83

           FCB $83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83

           FCB $83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83,$83

 

[此贴子已经被作者于2005-12-21 13:29:44编辑过]

strongchen

如果FLBPR中已经写入了一个非$FF的数值，那么要擦除或改写其内容，或被保护区的内容，只有一个方法，就是IRQ脚上必须加VTST高压，芯片进入监控模式，然后通过对FLASH进行擦除或编程操作才可以做到。这样，如果程序本身企图对FLBPR进行擦除和改写的操作，是无法实现的。

l3hh

谢谢tianlan_316和版主的指点，看来是只能在常数段中手工填了，让CW去分配地址，难道就没有什么更方便的办法吗？

另外又想起一个问题，假如我知道MCU中的Security bytes，有没有什么工具能读出FLASH中已有的程序代码和常数表?请指教！

strongchen

如果知道加密位，就可以进入监控模式，也就可以看到每个地址中的数据。但好像并不能直接将FLASH中的数据反汇编成程序。

l3hh

老大，我的意思是能否读入FLASH中已有的内容，就跟以前常用烧写器Load芯片中的程序一样。至于反汇编可以用C:\Program Files\Metrowerks\CW08 V3.1\prog\decoder.exe，可惜SE版的license不支持

strongchen

当然可以读出FLASH中的内容。