输出电感占空比大于 50% 的推挽式转换器、相移全桥转换器或者任何正向转换器,都是一些需要这种补偿的拓扑结构。但是,为了方便演示,本文选择的拓扑是一种人们相对不熟悉的拓扑结构:三开关正向转换器。请参见图 1 所示电源部分基本原理图。尽管这种拓扑的专利权归 TI 所有,但电路中使用 TI 控制 IC 时都可以使用。
图1三开关正向拓扑
这种拓扑拥有许多优点,特别是输入电压范围为手机电池的 36 到 72 V 时。拓扑的最大占空比为 67%,从而将设计限定在 67% 最小输入电压时的最大占空比。与此同时,关闭时主开关的电压被限定为电源轨输入电压。这就意味着,低压FET会与其相应低 RDS(on)电阻一起使用。这种拓扑还提供了一种恢复电源变压器和主侧漏电感中磁能的方法,从而不再需要高损耗的缓冲器。