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在70年代晚期推出MOSFET之前，晶闸管和双极结型晶体管（BJT）是仅有的功率开关。BJT是电流控制器件，而MOSFET是电压控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一种电压控制器件。MOSFET是正温度系数器件，而IGBT则不一定。MOSFET是多数载流子器件，因而是高频应用的理想选择。将直流电转换为交流电的逆变器，可以在超声频率下工作以避免音频噪声。相比IGBT，MOSFET还具有高抗雪崩能力。在选择MOSFET时，工作频率是一个重要因素。相比同等MOSFET，IGBT具有较低的箝位能力。在IGBT和MOSFET之间选择时，必须考虑逆变器输入的直流总线电压、功率定额、功率拓扑和工作频率。IGBT通常用于200V及以上的应用，而MOSFET可以用于从20V到1000V的应用。虽然飞兆半导体公司拥有300V的IGBT，但MOSFET的开关频率却比IGBT高出许多。
较新型的MOSFET具有更低的传导损耗和开关损耗，在直到600V的中等电压应用中正在取代IGBT。设计替代性能源电力系统、UPS、开关电源（SMPS）和其他工业系统的工程师正不断设法改进这些系统的轻载和满载效率、功率密度、可靠性和动态性能。风能是增长最快的能源之一，一个应用实例就是风力机叶片控制，其中使用了大量的MOSFET器件。通过迎合不同的应用需求，特定应用的MOSFET可以帮助实现这些改进。
其它需要新型和特定MOSFET解决方案的近期应用，包括易于安装在家庭车库和商业停车场的电动汽车（EV）充电系统。这些EV充电系统将通过光伏（PV）太阳能系统和公用电网运行。壁挂式EV充电站必须实现快速充电。对于通信电源而言，PV电池充电站也将变得重要。
三相电机驱动和UPS逆变器需要相同类型的MOSFET，但PV太阳能逆变器可能需要不同的MOSFET，如Ultra FRFET MOSFET和常规体二极管MOSFET。最近几年，业界大量投资PV太阳能发电。大多数增长开始于住宅太阳能项目，但较大的商业项目正在出现：诸如多晶硅价格从2007年400美元/千克跌落至2009年70美元/千克等事件，都促进了巨大的市场增长。
正在普及的并网逆变器是一种将直流电转换为交流电并注入现有公用电网的专用逆变器。直流电源由可再生能源产生，比如小型或大型的风力机组或PV太阳能电池板。该逆变器也被称为同步逆变器。仅当连接至电网时，并网逆变器才会工作。今天市场上的逆变器采用了不同的拓扑设计，取决于设计的权衡要求。独立式逆变器采用不同设计，以按照整、滞后或超前功率因数供电。
对PV太阳能系统的市场需求早已存在，因为太阳能可以帮助降低高峰电力成本，能够消除燃料成本的波动性，可为公用电网提供更多的电力，还可作为“绿色”能源进行推广。
美国政府已经设定了目标，要求国家电力的80%来自绿色能源。原因如上所述，结合美国政府的目标，PV太阳能解决方案已经成为一个不断增长的市场。这带来了对MOSFET器件不断增长的需求。如果优化不同拓扑的MOSFET器件，终端产品的解决方案可实现显著的效率提升。
高开关频率应用需要以牺牲RDSON为代价来降低MOSFET的寄生电容，而低频应用却要求以降低RDSON为最高优先级。对于单端应用，MOSFET体二极管的恢复并不重要，但对于双端应用却非常重要，因为它们需要低tRR、QRR和更软的体二级管恢复。在软开关双端应用中，这些要求对于可靠性极其重要。在硬开关应用中，随着工作电压增加，导通和关断损耗也将增加。为减少关断损耗，可以根据RDSON来优化CRSS和COSS。
MOSFET支持零电压开关（ZVS）和零电流开关（ZCS）拓扑，不过IGBT却仅支持ZCS拓扑。通常，IGBT用于大电流和低频开关，而MOSFET则用于小电流和高频开关。混合模式仿真工具可以用来设计特定应用的MOSFET。在硅和沟槽技术方面的进展降低了导通电阻（RDSON）和其他动态寄生电容，并改进了MOSFET的体二极管恢复性能。封装技术也在这些特定应用的MOSFET中发挥了作用。
逆变器系统
DC-AC逆变器广泛用于电机驱动、UPS和绿色能源系统。通常，高电压和大功率的系统使用IGBT，但对于低压、中压和高压（12V至400V输入直流总线）而言，通常使用MOSFET。在用于太阳能逆变器、UPS逆变器和电机驱动逆变器的高频DC-AC逆变器中，MOSFET已获得普及。在直流总线电压大于400V的某些应用中，高压MOSFET被用于小功率应用。MOSFET具有一个固有的开关性能很差的体二极管，该二极管通常会在逆变器桥臂的互补MOSFET中带来高开通损耗。在单开关或单端应用（例如PFC、正激或反激转换器）中，体二极管并未正向偏置，因而可以忽略它的存在。低载频逆变器承受着附加输出滤波器的尺寸、重量和成本的负担；高载频逆变器的优势则是更小、更低成本的低通滤波器设计。MOSFET是这些逆变器应用的理想之选，因为它们可以工作在较高的开关频率下。这能减少射频干扰（RFI），因为开关频率电流分量在逆变器和输出滤波器内部流动，从而消除了向外流动。
针对逆变器应用的MOSFET的要求包括：
特定的导通电阻（RSP）应该较小，来减少导通损耗。器件到器件的RDSON变化应该较小，这有两个目的：在逆变器输出端的DC分量较少，且该RDSON可以用于电流检测来控制异常状况（主要在低压逆变器中）；对于相同的RDSON，低RSP可以减少晶圆尺寸，从而降低成本。
当晶圆尺寸减小时，可以使用非箝位感应开关（UIS）。应该采用良好的UIS来设计MOSFET单元结构，且不能有太多的让步。通常，对于相同的晶圆尺寸，相比平面MOSFET，现代沟槽MOSFET具有良好的UIS。薄晶圆减小了热阻（RthJC），在这种情况下，较低的品质因数（FOM）可以表示为RSP×RthJC/UIS。3.良好的安全工作区（SOA）和较低的跨导。
会有少量栅漏电容（CGD）（米勒电荷），但CGD/CGS比必须低。适度高的CGD可以帮助减少EMI。极低的CGD增加了dv/dt，并因此增加了EMI。低CGD/CGS比降低了击穿的可能性。这些逆变器不在高频下工作，因而允许栅极ESR有少许增加。因为这些逆变器工作在中等频率上，所以可以允许有稍高的CGD和CGS。
即使在该应用中工作频率已较低，但降低COSS有助于减少开关损耗。同时也允许稍微增大COSS。
开关期间的COSS和CGD突变会引起栅极振荡和较高过冲，长时间后将有可能损坏栅极。这种情况下，高源漏dv/dt会成为问题。
高栅极阈值电压（VTH）可以实现更好的抗噪性和更好的MOSFET并联。VTH应该超过3V。
体二极管恢复：需要具有低反向恢复电荷（QRR）和低反向恢复时间（tRR）的更软、更快的体二级管。同时，软度因子S（Tb/Ta）应大于1。这将减小体二极管恢复dv/dt及逆变器直通的可能性。活跃的体二极管会引起击穿和高压尖峰问题。
在某些情况下，需要高（IDM）脉冲漏极电流能力来提供高（ISC）短路电流抗扰度、高输出滤波器充电电流和高电机起动电流。
通过控制MOSFET的开通和关断、dv/dt和di/dt，可控制EMI。
通过在晶圆上使用更多的丝焊来减少共源电感。
(来源于 全球IC采购网 www.qic.com.cn) |
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