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Spansion在NOR闪存市场的新进展
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porereading
发表于 2012-12-8 15:39
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Spansion在NOR闪存市场的新进展
市场
,
芯片
作为
NOR
闪存最重要的领导厂商之一,
Spansion
公司最近发布了其并行
NOR
闪存的最新产品,业界首款
45nm
单芯片
8Gb
NOR
闪存。该系列产品是
Spansion
GL并行
NOR
产品线的最新成员,也是65nm
Spansion
GL-S产品系列的补充。
Spansion
公司
NOR
产品营销副总裁Jackson Huang介绍说,
Spansion
GL-T
45nm
8Gb
NOR
闪存的读取速度可达95MB/s,编程速度为1.8MB/s,是目前市面上读取速度最快的产品同时也是目前市面上最高容量的
NOR
Flash,该产品主要针对消费、汽车、游戏、电信和工业等应用。该系列产品正式量产时将由SMIC武汉工厂代工,Jackon Huang表示对产品的良率很满意,在市场上非常有竞争力,并没有透露具体的产品良率。
Spansion
公司
NOR
产品营销副总裁Jackson Huang
Spansion
一如既往采用了
Spansion
的MirroBit技术来制造最新的
GL-T
系列
NOR
闪存。目前
MirrorBit
技术主要是使用
Spansion
的并行
NOR
闪存和SPI产品上,是
Spansion
独有的技术,没有直接授权给其它公司使用。Jackson Huang介绍说,和传统的浮栅技术相比,
MirrorBit
主要优点是:存储单元的结构更简单,纵向上比浮栅更小;能够降低耦合与干扰,从而提高性能和可靠性;易于实现生产。MirroBit实质上是一种电荷陷阱技术,最早是在
Spansion
从AMD独立出来之前,由AMD在2002年发布。有资料称,最初开发该技术是为了降低
NOR
闪存的制造成本,提高
NOR
闪存的存储密度,并与Intel的MLC(Multi-Level Cell)
NOR
技术在成本上相抗衡。
MirrorBit
和传统浮栅最明显的区别在于,
MirrorBit
技术使用了一个电荷陷阱层来替代传统的浮栅,电荷陷阱层是绝缘体,而浮栅是导体。
MirrorBit
同时也利用了用于存储电荷的氮化物不导电的特性,让两个bit可以共享同一个存储单元。
MirrorBit
技术示意图
浮栅技术和
MirrorBit
对比
虽然
Spansion
最近在
NOR
闪存方面市场表现不错,但是,放眼整个
NOR
闪存的总体市场,似乎有增长放缓、甚至是逐渐萎缩下滑的趋势,特别是受到NAND闪存的冲击,前景似乎面临了重大挑战。有资料表明,2010年使用
NOR
闪存的手机占14%,而现在已经降至7%以下,被NAND取代了大量份额。对于
NOR
闪存市场的走势,Jackon Huang认为:“我们认为
NOR
闪存市场还是相当稳固的。
NOR
里面分成两大类,一种是并行的,还有一种是SPI的
NOR
闪存。现在低阶的并行
NOR
闪存逐渐被SPI所取代,但中高阶的市场还是非常稳固的,这也正是我们公司产品所针对的目标市场。”
笔者认为,
NOR
闪存的编程、擦写速度是其最致命的短板。虽然和NAND闪存相比,
NOR
闪存的可靠性更高,但在分量极重的消费电子产品市场,面对NAND闪存的价格优势以及不可同日而语的写入速度,
NOR
闪存被NAND闪存所取代,并不是不可能的事。现在
NOR
闪存应该做的,或许是守住那些对读取速度和可靠性要求高,但不强调写入速度的应用领域,例如汽车、工业、医疗,或是消费电子的系统固件等。
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