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中兴Grand S采用6.9mm超薄一体化机身设计，并配以5吋大屏，背部黑色水滴设计横枕机身上端，方正的外形不乏弧线相接。据设计师介绍，其设计灵感来自瓦片。
上月底，第二届中兴手机设计之夜在上海举行，现场不仅正式揭幕国内通讯界最大手机设计中心，更是第一次展示了中兴智能高端转型力作Grand系列尚未上市的最高规格产品Grand S。
在今年全球设计界顶级峰会“iF国际设计大奖”上，Grand S从全球51个国家制造商的4325件参选作品中脱颖而出，获得全球年度设计大奖殊荣。
中兴Grand S采用6.9mm超薄一体化机身设计，并配以5吋大屏，背部黑色水滴设计横枕机身上端，方正的外形不乏弧线相接。据设计师介绍，其设计灵感来自瓦片。
活动当天，中兴全球首席设计总监范文迪（Hagen Fendler）也与现场来宾分享了中兴设计未来的战略思考。据了解，这位由中兴通讯力邀加盟的德国人负责中兴全球设备的规划、工业设计、用户界面及用户体验设计。
此前曾有报道称，中兴Grand S采用全白色机身，官方微博透露这款手机机身最薄处仅有6.9毫米，堪称全球最纤薄四核智能终端，即使是刚刚发布的nubia Z5(7.6毫米)也无法匹敌。同时这款手机还将采用超窄边框设计，保证单手握持时的极限宽度尺寸。
手机顶部设置了3.5毫米耳机接口以及电源/锁屏按键，机身右侧是音量大小调节键，设计规范更符合左手操作。据称这款手机将 搭载高通 APQ8064四核处理核心，核心频率有可能进一步提升，内置2GB RAM运行内存。
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