HYB25D1G800AE-7:1Gb DDR SDRAM SDRAM, DDR

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8月26日讯,Infineon公司推出1Gb DDR SDRAM HYB25D1G800AE-7,该器件采用先进的110nm CMOS工艺制造,芯片面积仅为160mm2,是业界最小的1Gb DDR SDRAM芯片.新的1Gb DRAM的封装是400密尔的66引脚TSOP或在空间受到严格限制应用的68针FBGA封装.所支持的结构有x4,x8和x16.1Gb 双数据速率(DDR)覆盖了从DDR266到DDR400整个受欢迎的DDR速率,其工作时钟分别是133MHz到200MHz.