富士通采用65纳米技术开发256Mbit FeRAM新材料
|
- UID
- 114779
- 性别
- 男
|
富士通采用65纳米技术开发256Mbit FeRAM新材料
富士通微电子宣布，东京工业大学、富士通实验室和富士通有限公司已经联合开发出一种用于新一代非易失铁电随机存储器(Ferroelectric Random Access Memory, FeRAM)的新型材料。 这种铋、铁、氧元素的合成材料（BiFeO3或BFO），能使数据存储容量达到目前FeRAM生产中使用的材料的五倍。ffice ffice" /> |
|
|
|
|
|
