模3G手机前端电路设计与分析2 电路, 3G手机

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　图8显示了超前/滞后合成器网络输出失配时发生的情况。这一仿真中，在Port1合成器输出上有5.0:1 VSWR的失配。使用5.0:1 VSWR的原因在于这是手机环境中可能发生的最坏失配情况。Ports2和4受到的影响是阻抗转换，亦即每个PA输出2.0:1 VSWR。前端组件插损可对天线失配起一定隔离作用。典型前端组件插损至少3dB，这限定了超前/滞后合成器输出的最坏情况VSWR是3.0:1，而非5.0:1。



　　图9所示为测得的RF6285的ACLR性能与VSWR的关系，从中可看出PA正交架构的优势。作为参考，在3.0:1的最坏情况VSWR下，ACLR下降不到2dB，而单端PA时为10dB。对于3.0:1的最坏情况VSWR，RF6285的功率下降只有2.5dB，相同情况下单端PA则为3.5dB(图10)。图11显示了RF6285的峰值集电极电流与VSWR的关系。在2.0:1最坏情况VSWR下，RF6285的峰值集电极电流只增加了3%，而相同条件下单端PA的增加了20%之多。





　　3G手机的设计人员面临着大量挑战，究竟应该优先解决那些问题，需根据最终应用来决定。像RD6280模块这样的解决方案可为多频带应用带来灵活性的优点，同时在所有功率级和工作模式下都能保持最佳性能。相反地，RF6241、RF6242和RF6245等高度集成的解决方案可减少元件数目求。上述两类解决方案都能够满足改进回退功率级下耗电量的要求，而RD6280包含有PA PMIC，可提供更多的性能优化。