C6678的DDR3接口，单bank和双bank的效率有多大差别？ 控制线, 接口, 而且, 软件, 硬件

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最近在做C6678的硬件电路，其DDR3接口的数据宽度为64位，有两个CE、两对CK和两个CKE，这样就可以分为两个Bank来用了。但是，我理解：单bank（用一个CE）的话，数据位宽是64位；双bank的话，则每个bank各32位，数据效率应该差不多吧？而且，双bank还要有更复杂的地址、控制线操作，理论上应该效率更低。
问过用过DM8168的同事，8168的DDR3接口与C6678是一样的（至少从管脚上），但是他们做DM8168的时候就是用了双bank，因为TI的EVM板就是如此，而且据同事说（软件的同事），TI对双bank的底层进行了优化，其效率大大提高。我对软件不太熟，但是从硬件接口上看，应该不会有太大差别啊。
还买了块研华的6678的EVM，上边的DDR3就是用了单bank扩展四颗16位的颗粒。我现在有点纠结：是跟EVM一样，采用单bank呢？还是改为双bank，每bank各两个颗粒？
或者，除了数据效率以外，双bank还有没有其他的优势？
希望有经验的网友帮忙解答，谢谢。：）