45nm单芯片8Gb NOR闪存提供快速读取和编程能力 电信, 产品, 能力, 汽车, Jackson

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关键字：PCM   浮栅技术结构   MirrorBit电荷捕获技术   NOR闪存  
Spansion公司日前推出了业界首款45nm单芯片8Gb NOR闪存产品。该产品采用Spansion具有高可靠度的MirrorBit专有技术，可提供高品质的快速随机访问读取性能和快速编程能力，助力为游戏、消费、汽车、电信和工业等领域应用中互动图形、动画和视频实现更好的用户体验。
据Spansion公司NOR产品营销副总裁Jackson Huang介绍，45 nm Spansion GL-T系列是Spansion GL并行NOR产品线的最新成员，也是65nm SpansionGL- S产品系列的补充。它具有更强的性能，读取性能比拥有同类技术与容量的产品提高2 倍以上，达95 MB/秒。它的编程速度最快可达1.8MB/秒，相较于其他高密度NOR闪存产品，可提供更快的生产能力。

45 nm Spansion GL-T系列产品采用了Spansion 公司的MirrorBit电荷捕获技术，JacksonHuang介绍说，传统的浮栅技术结构上比较复杂，而且生产过程也比较麻烦。它会在栅极里面储存一些电荷，但由于它本身的结构会承受很多氧化物的应力，而且里面的电荷也会互相产生干扰，另外浮栅本身也会导电，在这个过程中，会损失一些电子电荷，要想达到一个高密度的目标会很难。而Spansion专有的MirrorBit技术在结构方面相对简单，采用平面式的结构，在P型衬底上方的一块区域存储一些电荷，因为它是不导电的，所以在这里可以把电荷捕捉住，可使产品更加可靠，性能、效果会更好，也可降低耦合与干扰，并易于实现生产。

45nm 8Gb NOR闪存适用于需要使用到大量、丰富图像的平台，让这些图像在使用者的界面上可以更加顺畅地使用。Jackson Huang强调说，因为这些平台储存的不仅仅是各种图像，还有图像里面的元素，当图像存取的量很多时，他们需要很快地存取，并且以随机的方式进行存取，让使用者有快速反应。Spansion就是希望能够把这些高密度的图像和照片从Flash存储中快速读出。另外，许多用户需要储存很多的照片，他们必须把照片进行压缩以达到节省存储空间的目的，但当照片被还原时，颗粒就会显得比较粗。Spansion此次推出的NOR闪存容量达8G，用户不再需要把这些照片进行压缩，或者只压缩一部分，照片再度呈现时，细节就会非常的清楚，可获得更真实、更赏心悦目的图像画质。

在并行NOR产品线上，从早期的230 nm到110 nm，Spansion在不断提升其解析度，目前已达65 nm和45 nm。Jackson Huang说：“将来Spansion会继续向更小体积、更高密度的产品前进。另外，我们也会为客户提供硬件和软件方面的支持，帮助客户缩短产品上市的时间。”

据相关数据显示，今年的闪存市场营收为24 3亿美元，其中NOR闪存只占有3 5亿美元，尤其在智能手机领域，受NAND闪存的冲击很大，并且竞争对手也在不断研发新的存储技术。Jackson Huang表示，Spansion的闪存应用领域广泛，包括汽车、游戏、通信以及消费类电子等。目前NOR闪存市场相当稳固，NOR闪存可分成两类：一种是并行，另一种是SPI的NOR，现在一些低价并行闪存正逐渐被SPI取代，但中间高价部分的NOR闪存的市场发展空间较大，这正是Spansion产品所针对的目标市场，如游戏机等应用领域。而竞争对手正研发的新存储技术PCM，在温度方面还面临某些挑战，需要一段时间技术才可以达到成熟，如果这个挑战不解决，该技术无法提供大范围的应用。