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1 Flash类型与技术特点Flash主要分为NOR和NAND两类。下面对二者作较为详细的比较。
1.1 性能比较Flash闪存是非易失存储器，可以对存储器单元块进行擦写和再编程。任何Flash器件进行写入操作前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作十分简单；而NOR则要求在进行擦除前，先要将目标块内所有的位都写为0.擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为1～5s；擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms.执行擦除时，块尺寸的不同近一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距。统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。因此，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
*NOR的读取速度比NAND稍快一些。
*NAND的写入速度比NOR快很多。
*NAND的擦除速度远比NOR快。
*大多数写入操作需要先进行擦除操作。
*NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
1.2 接口差别NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内容的每一字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND的读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作。很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其它块设备。
1.3 容量和成本NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半。由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。
NOR Flash占据了大部分容量为1～16MB的内存市场，而NAND Flash只是用在8～128MB的产品当中。
1.4 可靠性和耐用性采用Flash介质时，一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命（耐用性）、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
（1）寿命（耐用性）
在NAND闪存中，每个块的最大擦写次数是100万次，而NOR的擦写次数是10万次。NAND存储器除了具有10：1的块擦除周期优势外，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8位，每个NAND存储器块在给定时间闪的删除次数要少一些。
（2）位交换所有Flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下（很少见，NAND发生的次数要比NOR多），一个比特位会发生反转或被报告反转了。
一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障就可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决。
位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其它敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
（3）坏块处理NAND器件中的不坏块是随机分布的。以前做过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理。将导致高故障率。
1.5 易用性可以非常直接地使用基于NOR的闪存，像其它存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其它操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。 |
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