一种通用的FPGA位元电路 电子元器件, 集成电路, 可靠性, 通用, Flash

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来源：电子元器件应用 作者：李 曼，张颉夫，柏文斌，李 平
FPGA (Field Programmable Gate Array)， 即现场可编程逻辑门阵列，是当今集成电路半定制设计中的重要组成部分，具有结构灵活，功能完善，集成度高，设计周期短的特点，受到了越来越多的用户的欢迎；并且随着集成电路工艺制程的不断更新，FPGA的速度也得到了极大的提高。FPGA一般分为反熔丝型、EPROM型及SRAM型。
基于Flash的FPGA一般需要采用特殊的结构，造价很高；基于SRAM的FPGA器件虽然不需要特殊的工艺，可以用一般的CMOS工艺实现，但是这种FPGA的保密性及可靠性都不高；反熔丝／熔丝FPGA的保密性及可靠性都很高，市场上也有很多的反熔丝／熔丝结构，有些完全可以于CM OS工艺兼容。因此反熔丝／熔丝FPGA具有很好的发展前景。
在反熔丝／熔丝FPGA中，反熔丝／熔丝结构对FPGA的性能至关重要，这些反熔丝／熔丝结构击穿后的电阻特性不一致，大至10K欧姆，小的只有几欧姆，因此基于反熔丝／熔丝结构的位元电路需要单独设计。在本论文中提出的这种位元电路对反熔丝／熔丝结构击穿后的电阻没有特殊要求，因此具有重复利用性。因为篇幅有限，在此只叙述此位元电路在反熔丝FPCA中的应用，此位元电路可以完全应用到熔丝FPCA中。
1 新型反熔丝／熔丝位元电路
反熔丝／熔丝位元电路是控制反熔丝／熔丝完成逻辑编程的电路，图1所示是反熔丝位元电路，实框中是反熔丝存储单元电路图，该存储单元可以单独的存储0和1。写状态时加编程高压，让其中一个反熔丝电容熔通为一个小电阻，另一个反熔丝电容保持原状态；读取时，在熔通电容一端加电源电压，通过熔通后的小电阻传输高电平，完成1的存储；在熔通电容一端加低电平，通过熔通后的小电阻传输低电平，完成0的存储。可见位元电路输出高低电平是根据节点电压的变化来判断，与节点电流没有关系，因此对击穿后的电阻特性没有特殊要求。

对于熔丝位元电路只需将反熔丝结构换成熔丝结构，写状态时加编程高压，让其中一个熔丝熔断，另一个熔丝保持常态；读取时，在保持常态的熔丝一端加电源电压，通过熔丝传输高电平，完成1的存储，在保持常态的熔丝一端加低电平，通过熔丝传输低电平，完成0的存储。
图1的框外是一个MOS管，此MOS管是作为开关用的，当data输出0时，此开关关闭，X0与Y0断开，当data输出1时，此开关打开，X0与Y0实际上是连在一起的，此时从X0输入信号，Y0的输出信号即为X0。
2 反熔丝位元电路的写入过程
如图1所示，每个反熔丝存储结构包括两个反熔丝C1、C2，高压管M1、M2以及一个起编程控制作用的或非门。反熔丝采用MOS管做电容，利用栅氧击穿来熔通。或非门的两端分别接在行译码(WL)和列译码(BL)上，当反熔丝存储结构工作在编程模式的时候，WL、BL端同时输入低电平，通过或非门输出高电平，使高压管M1处于开启状态，这样就使反熔丝电容的一端接地；同时PRG_OEM端接低电平关断，以保护后面的普通管不受编程高压的影响。
此时在PRG_VDD端加编程高压(0．35μm工艺为15V)，PRG_GND端加低压信号，则C1两端由于电压差很大(15V)，被烧断，C2两端的电压相同，仍保持原来的状态，称处于该状态的反熔丝存储结构为状态一，如图2所示。相反的，当PRG_VDD端加低电压，PRG_GND端加编程高电压时，C2两端电压差达到15V，被烧断，C1两端电压基本相同，保持原来的状态，我们称处于该状态的反熔丝存储结构为状态二，如图2所示。

编程完成后，使或非门输入端的WL、BL信号都为高电平，M1处于关断状态，PRG_OEM端接高电平，M2管打开，这时电路可以简化为图2。状态一中，当PRG_VDD加电源电压(一般为5V)，data输出高电平1，即状态一可以存储1；状态二中，当PRG_GND加低电压，data输出低电平，即状态二可以存储0。
在该反熔丝存储单元中使用两个电容而不用一个的原因是：如果只采用一个反熔丝，当存储0时，其一定不能加高压编程，即反熔丝不能被烧断，这就会出现M3管的栅极的电平不能确定的情况发生。
3 反熔丝位元电路的读出过程
图2所示是编程后的反熔丝位元电路，当反熔丝位元电路工作在读取状态时，PRG_VDD接高电平(电源电压，一般为5V)，PRG_GND接低电平此时，状态一(即存储1状态)中，由于C1原来的位置已经被烧断而变成了一个电阻，所以data输出1，M3管的栅极上而处于高电平状态，M3被导通，X和Y连在了一起。在状态二(即存储0状态)中，由于C2被烧断而变成了一个电阻，但是高电平却由于C1的阻挡而不能向下传输，因此data输出0，M3的栅极处于低电平状态，M3管关断，X和Y没有连在一起。
此反熔丝位元电路具有普遍性，对于日前市场上的反熔丝型FPGA结构基本都可以适用。图2中M3开关管的存存，是为了使下而叙述的基丁LB结构的FPGA容易布线，在必要的时候可以省略。
4 应用实例
在图3的FPGA电路中，LB采用Actel熔丝型FPGA中采用的逻辑单元，空心圆圈和实心圆圈均代表一个图1所示的反熔丝位元电路，由LB引出的长纵线是将LB上半部分六个反熔丝位元电路中的Y端和下半部分六个反熔丝位元电路中的Y端连接在一起，引线标号为0-11的横线是将反熔丝位元电路的X端连在一起。由外部IO引出的短纵线是为了让外接逻辑信号进入指定模块。引线标号为3—8的横线上没有纵线连接的反熔丝位元电路(实心圆圈代表的反熔丝位元电路)，足为了让左右两面的反熔丝位元咀路的X端连接在一起的，当其烧通后，其左右两端的反熔丝变连接在一起了，此种位元电路一般称为可编程分离开关。可编程开关的存在可以减少横线数量，优化布线最后剩下的标有VCC或CLK或CND的横线，处于这几行上面的反熔丝位元电路，是为反熔丝位元电路提供读取时的电平。

简单工作原理以该FPGA实现一个非门逻辑为例，完成非门的逻辑功能，只需要一个LB模块即可，其工作部分如图3中虚线框中电路。LB各端口A0、B0、SA、S0、A1、B1、SB和S1所加信号分别为10A10001，按照各信口对相应反熔丝编程，需要编程的反熔丝标识为图3中的虚线表示的空心圆圈。编程完成后，使这些空心圆圈代表的反熔丝位元电路中的X与Y端连在一起，如图2中的状态一所示。此时再加VDD、GND及输入信号A，高电平1和低电平0的输入只需熔通长横线VDD和GND上的反熔丝位元，VDD及GND从反熔丝位元的X端输入，Y端将X端信号传输到LB模块。例如A0需要为高电平，只需熔通反熔丝位元1。A信号的输入从任一个I／O端进入即可，图3中选择上半部分I／O端口，A信号进入反熔丝位元2的Y端，反熔丝位元2的X端将其Y端的A信号传到反熔丝位元3的X端，反熔丝位元3的Y端将其X端信口A传到LB模块。输出信号OUT可从任一个I ／O端输出，原理同A信号的输入一样，可以选择下半部分的3条短横线(有可编程分离位元的横线)任意一条上的2个反熔丝位元输出，此输出信号即为A信号的取反信号。
5 结束语
本文提出的新型反熔丝／熔丝位元电路可以单独的存储0和1，对反熔丝／熔丝击穿后的电阻特性没有特殊要求，因此对于市场上存在的反熔丝／熔丝FPGA基本都可以适用，所以此位元电路拥有大规模应用的可能