紧接上帖： ;-----------------------中断初始化--------------------------------------------------------------------
LDP #0E8H
SPLK #0FFFH,EVAIFRA ;清事件管理器A所有中断标志
SPLK #000FH,EVAIFRB
SPLK #000FH,EVAIFRC
SPLK #0200H,EVAIMRA ;开T1下溢中断
SPLK #0000H,EVAIMRB ;屏蔽定时器2所有中断
SPLK #0000H,EVAIMRC ;屏蔽捕获寄存器1、2、3中断
LDP #0H
LACC #0FFH
SACL IFR ;清所有系统中断标志
LACC #0000010B
SACL IMR ;开INT2中断
CLRC INTM ;开总中断
;-----------------------I/O初始化------------------------------------------------------
LACL  BDATDIR
．．
;-----------------------事件管理器A初始化-------------------------------------------------------------------
LDP #0E8H
SPLK #0666H,ACTRA ;引脚PWM1,3,5高有效,2,4,6低有效
SPLK #３００,CMPR2
SPLK #３００,CMPR1 SPLK #３００,CMPR3
SPLK #08F4H,DBTCONA ;死区时间1.07*4=4.28us
SPLK #8200H,COMCONA ;定时器下溢比较器重载,允许比较
SPLK #PWMPRD,T1PR ;周期寄存器值1500（PWM周期为100us）
SPLK #0,T1CNT
SPLK #08840H,T1CON;连续增减，预分频为1，使能T1 SPLK #0000H,T2CNT ;编码脉冲计数器
SPLK #0FFFFH,T2PR
SPLK #9870H,T2CON ;定向增减,允许编码接口
;----------------------初始化结束-------------------------------------------------------------------
MAIN
NOP
B MAIN ; 主循环，定时器1下溢时跳出主循环进入T1下溢中断子程序
;--------------------------------------假中断处理----------------------------------------------------------
PHANTOM
CLRC INTM ;开中断
RET
;-----------------------T1下溢中断处理子程序-----------------------------------------------------
_C_INT2:
;-----------------------保存现场--------------------------------------------------------------------
SST #0,ST0_SAVE
SST #1,ST1_SAVE
LDP #5
SACH ACCH ; 保存ACC高位
SACL ACCL
SPH _HI
SPL _LO ; 保存 P
MPY #1 ; P<=T
SPL T_SAVE ; 保存 T
SAR AR0, AR0_SAVE ; 保存AR0
LDP #0E0H
LACC IVR ;读偏移地址 IVR为外设中断寄存器
SUB #029H ; T1 下溢中断?
CC T1UF_ISR, EQ ;是下溢中断跳T1UF_ISR
;EQ为ACC=0,当EQ=0时条件满足跳到T1UF_ISR
REST
LDP #5 ;否则恢复现场
LAR AR0, AR0_SAVE ; 恢复AR0
LT P_LO ;恢复P
MPY #1
LPH _HI
LT T_SAVE ;恢复T
LACC ACCH,16
ADDS ACCL ;恢复ACC
LDP #0 ;指向B2
LST #ST1, ST1_SAVE ; 恢复ST1
LST #ST0, ST0_SAVE ; 恢复ST0
CLRC INTM ; 开中断
RET ; 返回
T1UF_ISR
LDP #0E8H
SPLK #0200H,EVAIFRA
．．
CMD文件：
-stack 40
MEMORY
{
PAGE 0: /*程序空间*/
VECS: ORIGIN=00000H,LENGTH=00040H /*中断向量存贮空间*/
VECS: ORIGIN=00044H,LENGTH=00100H /*外围中断向量*/
/*PM: ORIGIN=0150H,LENGTH=070ffH /*片内FLASH存储空间*/
M: ORIGIN=08000H,LENGTH=07ffH /*片内SDRAM存储空间*/
PAGE 1: /*数据空间*/
REGS: ORIGIN=0H,LENGTH=60H /*存储器映射的寄存器和保留地址*/
BLK_B2: ORIGIN=60H,LENGTH=20H /*块B2*/
BLK_B0: ORIGIN=200H,LENGTH=100H /*块B0,如果CNF=0，则分配为片内ARAM*/
BLK_B1: ORIGIN=300H,LENGTH=100H /*块B1*/
SARAM_D: ORIGIN=800H,LENGTH=800H /*如果正确培植SCSR2寄存器，则此为数据空间中的2K SARAM*/
PERIPH: ORIGIN=7000H,LENGTH=1000H /*外围寄存器空间*/
EX2_DM: ORIGIN=8000H,LENGTH=8000H /*外围数据RAM*/
PAGE 2: /*I/O存储空间*/
IO_EX: ORIGIN=0000H,LENGTH=0FFF0H /*外部的I/O映射空间*/
IO_IN: ORIGIN=0FFF0H,LENGTH=0FH /*片内的I/O映射空间*/
}
SECTIONS
{
.reset: { }>VECS AGE 0 /*中断向量表*/
.vectors: { }>VECS AGE 0
.pvecs: { }>PVECS PAGE 0
.text: { }>PM PAGE 0
/* .bss: { }>BLK_B2 PAGE 1 */
.data0: { }>BLK_B1 PAGE 1
}
| 
