STM32-FSMC机制的NOR Flash存储器扩展技术（4） 存储器, Flash, 技术, 开发, 校正

yuyang911220

为了达到更好的控制效果，还应考虑FSMC自身延迟问题，使用校正公式：
   
式中：TAVQV为所选存储芯片访问过程中，从地址有效至数据有效的时间域；Tsu(Data_NE)为STM32特征参数，从数据有效到FSMC_NE(片选)失效时间域；Ttv(A_NE)为STM32特征参数，从FSMC_NE有效至地址有效的时间域。
    TAVQV=130 ns，Tsu(Data_NE)+Ttv(A_NE]=36 ns，对DATAST参数进行校正，可得DATAST=3。
3．4 应用STM32固件对FSMC进行初始化配置
    ST公司为用户开发提供了完整、高效的工具和固件库，其中使用C语言编写的固件库提供了覆盖所有标准外设的函数，使用户无需使用汇编操作外设特性，从而提高了程序的可读性和易维护性。
    STM32固件库中提供的FSMC的NOR Flash控制器操作固件，主要包括2个数据结构和3个函数。数据结构FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef对应时间参数寄存器FSMC_BTR和FSMC_BWTR的结构定义；
    FSMC_NORSRAMinitTypeDef对应特征配置寄存器FSMC_BCR的结构定义，并包含2个指向对应BANK的FSMC_BTR和FSMC_BWTR寄存器的FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef结构指针。针对上述S29GL512P芯片扩展要求，利用固件库进行的主要初始化操作如下：

结 语
    STM32作为新一代ARM Cortex-M3核处理器，其卓越的性能和功耗控制能够适用于广泛的应用领域；而其特殊的可变静态存储技术FSMC具有高度的灵活性，对于存储容量要求较高的嵌入式系统设计，能够在不增加外部分立器件的情况下，扩展多种不同类型和容量的存储芯片，降低了系统设计的复杂性，提高了系统的可靠性。