首页
|
新闻
|
新品
|
文库
|
方案
|
视频
|
下载
|
商城
|
开发板
|
数据中心
|
座谈新版
|
培训
|
工具
|
博客
|
论坛
|
百科
|
GEC
|
活动
|
主题月
|
电子展
注册
登录
论坛
博客
搜索
帮助
导航
默认风格
uchome
discuz6
GreenM
»
模拟电路
» 可变增益的功率放大器单片微波集成电路
返回列表
回复
发帖
发新话题
发布投票
发布悬赏
发布辩论
发布活动
发布视频
发布商品
可变增益的功率放大器单片微波集成电路
发短消息
加为好友
520503
当前离线
UID
872339
帖子
13270
精华
0
积分
6635
阅读权限
90
在线时间
361 小时
注册时间
2012-3-2
最后登录
2016-3-10
论坛元老
UID
872339
1
#
打印
字体大小:
t
T
520503
发表于 2014-10-9 21:07
|
只看该作者
可变增益的功率放大器单片微波集成电路
集成电路
,
放大器
,
单片
,
影响
关键字:功率放大器 单片微波集成电路 可变增益
1 增益控制电路的设计原理
增益控制电路的作用是通过改变控制电压,达到改变放大器增益的目的。增益控制电路在放大器中的位置至关重要,若放置于放大器的末级,会由于自身的损耗而影响输出功率,放置于中间,会使放大器的中间级因无法将末级推饱和,从而影响效率。通过以上分析,将增益控制电路放置于放大器的第一级。
增益控制电路的原理如图1所示,由两个场效应晶体管(field effect transistor,FET)组成,FET1的漏极与FET2的源极连接在一起,射频信号从FET1的栅极输入,从FET2的漏极输出。图1中:Vc为控制电压;Vgs为栅压;Vdd为漏压;V1表示两个FET连接点的电压;Ids为FET1和FET2的漏极到源极的电流,图1中FET1的源极和FET2的漏极连接于同一节点,所以Ids同时流经FET1和FET2。该电路通过改变Vc的电压值来改变增益。
图1 增益控制电路拓扑图
FET工作在饱和区时的跨导gm,Ids与Vgs的关系如图2所示。FET1的栅压Vgs保持不变,则源漏电阻值的变化不会很大,在工作点的阻抗约为10Ω,由欧姆定律可知,V1的电压值由Ids决定。FET2的漏压Vds保持不变,Vc变化时,FET2的栅压相应变化,由图2的曲线可以看出,当栅压变化时,gm会产生变化,FET2的放大倍数则相应改变。同时,FET2的栅压变化时,根据图3,Ids会有较大的变化。根据之前的分析,Ids变化时,V1的值也会相应产生较大的变化,当V1小于1V时,FET1工作在图3中的线性区,增益受漏压影响较大,所以当V1变化时,FET1的放大倍数也会相应变化。这样,FET1和FET2的增益都受Vc的控制,其共同的增益变化量成为功率放大器的增益变化范围。
图2 gm,Ids与Vgs的关系曲线
图3 Vds,Vgs与Ids的关系曲线
收藏
分享
评分
回复
引用
订阅
TOP
返回列表
电商论坛
Pine A64
资料下载
方案分享
FAQ
行业应用
消费电子
便携式设备
医疗电子
汽车电子
工业控制
热门技术
智能可穿戴
3D打印
智能家居
综合设计
示波器技术
存储器
电子制造
计算机和外设
软件开发
分立器件
传感器技术
无源元件
资料共享
PCB综合技术
综合技术交流
EDA
MCU 单片机技术
ST MCU
Freescale MCU
NXP MCU
新唐 MCU
MIPS
X86
ARM
PowerPC
DSP技术
嵌入式技术
FPGA/CPLD可编程逻辑
模拟电路
数字电路
富士通半导体FRAM 铁电存储器“免费样片”使用心得
电源与功率管理
LED技术
测试测量
通信技术
3G
无线技术
微波在线
综合交流区
职场驿站
活动专区
在线座谈交流区
紧缺人才培训课程交流区
意见和建议