|
- UID
- 1029342
- 性别
- 男
|
25XX系列的串行EEPROM的写操作通过写允许及禁止指令控制，写操作必须在器件处于写允许状态时进行。 写允许及禁止指令均为8位的指令，指令的操作过程为：将-CS信号置为低电平，在SCK信号的作用下，通过SI引脚输入上述指令，在8位的指令送入器件之后，将-CS信号置为高电平，使器件锁存于写允许或写禁止状态。如在输入写允许指令后未将-CS信号置为高电平，则写允许状态未锁存，此时如直接进行写操作，数据将不能写入存储器。在上电、写禁止指令、写状态寄存器指令、写数据指令执行之后，器件的写允许状态将被复位，即处于写禁止状态。
写操作通常在写允许指令之后进行，其时序如图8-30所示。在写允许状态锁存后，将-CS变高；再将-CS变低，在SCK的同步下输入写操作指令并送入16位地址，紧接着发送需写入的数据，写入的数据一次最多可达32个，但必须保证在同一页内。一页数据的地址从XXXX XXXX XXX0 0000 开始，到XXXX XXXX XXX1 1111结束，当内部的地址指针计数器达到XXXX XXXX XXX1 1111后，继续发送时钟信号将使地址计数器回复到该页的第一个地址，即XXXX XXXX XXX0 0000H。
图8-30 25系列串行存储器的写时序 为了使数据有效写入，-CS信号只能在写入数据的最后一个字节的最低位写入后变高。如-CS信号在其他时间变高，将无法保证数据的完整写入。在写操作的过程中，能通过读状态指令将状态寄存器的内容读回，当写操作完成后，写允许锁存状态将被复位。 |
|
