嵌入式系统中的FLASH（5） Samsung, 寄存器, 嵌入式, FLASH, 软件

yuyang911220

3．NAND FLASH 的软件编写和调试
NAND设备的软件调试一般分为以下几个步骤：设置相关寄存器、NAND 设备的初始化、NAND设备的识别、NAND设备的读擦写（带ECC校验 ）
    NAND设备的操作都是需要通过命令来完成，不同厂家的命令稍有不同，以下一Samsung公司的K9F1208U0M命令表为例介绍NAND设备的软件编写。



表2 K9F1208U0M Command Sets

1)      根据2410寄存器定义如下的命令宏
#define NF_CMD(cmd) {rNFCMD=cmd;}
#define NF_ADDR(addr)   {rNFADDR=addr;}
#define NF_nFCE_L() {rNFCONF&=~(1
#define NF_nFCE_H() {rNFCONF|=(1
#define NF_RSTECC() {rNFCONF|=(1
#define NF_RDDATA()     (rNFDATA)
#define NF_WRDATA(data) {rNFDATA=data;}
#define NF_WAITRB()    {while(!(rNFSTAT&(1
        //wait tWB and check F_RNB pin.

2)      NAND 设备的初始化
static void NF_Init(void)                          //Flash 初始化
{
rNFCONF=(1                                            //设置NAND设备的相关寄存器
    // 1 1    1     1,   1      xxx, r xxx,   r xxx        
    // En 512B 4step ECCR nFCE="H" tACLS   tWRPH0   tWRPH1
   
    NF_Reset();
}
static void NF_Reset(void)                           //Flash重置
{
    int i;
    NF_nFCE_L();
    NF_CMD(0xFF);                      //reset command
    for(i=0;i               //tWB = 100ns
    NF_WAITRB();                        //wait 200~500us;
    NF_nFCE_H();
}
3)      NAND设备的识别                    //#define ID_K9F1208U0M 0xec76
static U16 NF_CheckId(void)                           //Id 辨别
{
    int i;
    U16 id;
   
    NF_nFCE_L();
    NF_CMD(0x90);
    NF_ADDR(0x0);
   
    for(i=0;i                 //wait tWB(100ns)
   
    id=NF_RDDATA()                 // Maker code(K9F1208U:0xec)
    id|=NF_RDDATA();                    // Devide code(K9F1208U:0x76)
   
    NF_nFCE_H();
    return id;
}
4)      NAND 的擦操作
static int NF_EraseBlock(U32 block)
{
    U32 blockPage=(block
    int i;
    NF_nFCE_L();
   
    NF_CMD(0x60
[q1]
);                          // Erase one block 1st command
    NF_ADDR(blockPage&0xff);                // Page number="0"
    NF_ADDR((blockPage>>8)&0xff);   
    NF_ADDR((blockPage>>16)&0xff);
    NF_CMD(0xd0
[q2]
);                           // Erase one blcok 2nd command
   
   for(i=0;i                       //wait tWB(100ns)//??????
    NF_WAITRB();                            // Wait tBERS max 3ms.
    NF_CMD(0x70);                           // Read status command
    if (NF_RDDATA()&0x1)                    // Erase error
    {   
        NF_nFCE_H();
    Uart_Printf("[ERASE_ERROR:block#=%d]\n",block);
        return 0;
    }
    else
    {
        NF_nFCE_H();
        return 1;
    }
}

5)      NAND 的读操作
static int NF_ReadPage(U32 block,U32 page,U8 *buffer)       //读Flash
{
    int i;
    unsigned int blockPage;
    U8 ecc0,ecc1,ecc2;
    U8 *bufPt=buffer;
    U8 se[16];   
   
    page=page&0x1f;                                 //32页
    blockPage=(block                      //1Bolck包含32页
    NF_RSTECC();                                    // Initialize ECC
   
    NF_nFCE_L();   
    NF_CMD(0x00);                                   // Read command
    NF_ADDR(0);                                     // Column = 0
    NF_ADDR(blockPage&0xff);                        //
    NF_ADDR((blockPage>>8)&0xff);                   // Block & Page num.
  NF_ADDR((blockPage>>16)&0xff);                 //
    for(i=0;i                             //wait tWB(100ns)
   
    NF_WAITRB();                                    // Wait tR(max 12us)
    for(i=0;i
    {
        *bufPt++=NF_RDDATA();                       // Read one page
}