搭载输出驱动能力调节功能 适用于车载、工业设备的高可靠性DRAM系列开售
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- 871057
- 性别
- 男
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搭载输出驱动能力调节功能 适用于车载、工业设备的高可靠性DRAM系列开售
ROHM集团旗下的LAPIS Semiconductor,作为高可靠性 DRAM系列产品,新开发出搭载输出驱动能力调节功能的128M bit SDRAM“MD56V72160C”/256M bit SDRAM“MD56V82160A”。本LSI搭载了4级输出驱动能力调节功能,可根据用户系统调节电流驱动能力,降低辐射噪声,从而可减少噪声对策零部件与阻尼电阻元件的数量。另外,引线框架采用焊接连接可靠性更高的铜(Cu)框架,因此,还非常适用于车载设备等要求高可靠性的用途。本产品的样品已经在售,计划从2014年3月份开始以月产100万个的规模开始量产销售。
<背景>
在中小容量SDRAM的用途之一车载设备系统中,工作时发生的辐射噪声会对高频段等产生影响,因此,对于提升系统品质来说,降低辐射噪声成为重要课题。LAPIS Semiconductor着眼于该课题,为降低SDRAM工作时产生的辐射噪声,改善阻抗匹配的读取数据输出波形的特性,早在以往产品16M bit /64M bit SDRAM上就开始搭载按3级改变读取数据输出时的电流驱动能力的输出驱动能力调节功能。该功能在车载领域获得极高好评,为扩大在需要更大容量SDRAM的用途中的应用范围,LAPIS Semiconductor开发了128M bit 、256M bit SDRAM。
另外,DRAM的主流产品逐渐向大容量、高速化的DDR2/DDR3-SDRAM发展,中小容量SDRAM的供应越来越不稳定。LAPIS Semiconductor将中小容量的SDRAM定位为传统DRAM注1,作为唯一可长期供货的日本国内制造商,不仅面向车载用途市场,而且面向更广阔的工业设备市场,正在不断完善产品的产品阵容。
<新产品详情>
1.搭载输出驱动能力调节功能
为降低SDRAM工作时产生的辐射噪声,改善阻抗匹配的读取数据输出波形的特性,搭载变更读取数据输出时的电流驱动能力的输出驱动能力调节功能。通过扩展模式寄存器配置可设定4级驱动能力。
本功能有助于实现适合用户系统的电流驱动能力优化、降低辐射噪声、减少辐射噪声对策零部件数量。另外,可按出货时固定规格的驱动能力设定供货,即使使用已有的SDRAM控制器无需配置扩展模式寄存器,即可使用最佳的输出驱动能力设定的产品。
2.采用铜引线框架
为满足车载设备领域的与PCB板之间的高可靠性焊接连接性的要求,本产品采用连接可靠性优异的铜(Cu)引线框架。与以往的42合金引线框架相比,其与PCB板的热膨胀系数更相近,因此,提高了焊接连接可靠性,满足了汽车厂家要求的PCB板贴装状态下的热膨胀循环标准。另外,还同时抑制了锡晶须不良的发生。
3.满足车载品质
为实现高品质,支持定制符合客户要求品质的测试工序。
4.芯片销售遵循KGD(Known Good Die)保证
从晶圆级保证与封装产品同等的品质,通过与客户的使用方法相匹配的测试工序,提供高品质的芯片产品。
LAPIS Semiconductor今后也会以不断推出客户放心使用的高可靠性SDRAM产品并长期稳定供应为目标,进一步推出256M bit DDR1、512M bit DDR2,不断扩充传统DRAM注1产品的阵容。
【销售计划】
- 产品名 :MD56V72160C / MD56V82160A
- 包装形态 :托盘1080个
- 样品出售时间 :样品出售中
- 样品价格(参考):
MD56V72160C 360日元(不含税)
MD56V82160A 520日元(不含税)
【产品概要/特点】
4 BANK×2,097,152 WORD×16 BIT (MD56V72160C)
4 BANK×4,194,304 WORD×16 BIT (MD56V82160A)
4,096行 × 512列(MD56V72160C)
8,192行 × 512列(MD56V82160A)
- 工作频率 :166MHz(max.)
- 接口 :LVTTL兼容
- 功能 :通用SDRAM指令接口
- 电源电压 :3.3V±0.3V
- 工作温度范围 :0℃ ~ +70℃ / -40℃ ~ +85℃
- 刷新 :
自动刷新时 4,096次/64msec(MD56V72160C) 8,192次/64msec(MD56V82160A)自刷新
工作时(166MHz) 100mA (MD56V72160C) 150mA (MD56V82160A)待机时(动态待机时) 50mA (MD56V72160C) 65mA (MD56V82160A)
关机时 3mA
54Pin TSOP
铜引线框架、满足RoHS指令、无铅、无卤 |
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