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IR推出650V器件以扩充超高速沟道IGBT系列
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发表于 2014-12-2 23:38
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IR推出650V器件以扩充超高速沟道IGBT系列
二极管
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产品
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技术
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开关
014年10月21日,北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以扩充绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列。新产品旨在为多种快速开关应用作出优化,包括光伏逆变器、焊接设备、工业用电机、感应加热和不间断电源等应用。
全新的IRGP47xx系列IGBT提供从15A到90A的电流范围,并采用沟道纤薄晶圆技术降低导通损耗和开关损耗,以提升系统效率。这些产品可作为分立式器件或与软恢复低Qrr二极管一起封装,能够为8KHz到30KHz的超高速开关作出优化,从而提供高达6μs的短路额定值,以及有助于并联的VCE(ON)正温度系数。新器件具有较高的击穿电压,即便在极端天气和交流线路不稳定的情况下也能提高可靠性,无需电压抑制器件。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“全新650V IRGP47xx系列具有超高速开关频率,以及低导通损耗和开关损耗,能够为要求坚固可靠、高效且更小占位面积的应用提供具有成本效益的解决方案。”
IRGP47xx系列适用于广泛的开关频率范围,在100°C下提供仅1.7V 的低VCE(ON)和低总开关损耗,可有效减少功耗。新产品以封装器件供应,其它主要功能包括最高达175°C的工作结温和低电磁干扰,有助于提升可靠性。
规格
分立式 IGBT
与软恢复低Qrr二极管一起封装的IGBT
产品现正接受批量订单。新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。
IR简介
国际整流器公司(简称 IR,纽约证交所代号 IRF)是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗(电机是全球最大耗能设备),是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。IR 成立于 1947 年,总部设在美国洛杉矶,在二十个国家设有办事处。
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