英飞凌推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT

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关键字：IGBT   光伏逆变器   薄晶片技术   英飞凌  
2015年2月6日 – 英飞凌科技股份公司近日推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT。此类IGBT 专门针对 50Hz 至20kHz 的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源(UPS) 以及光伏逆变器和逆变焊机中。新 L5 系列基于 TRENCHSTOP?5 薄晶片技术，使本来就很低的导通损耗因为载流子结构的优化得到了进一步降低。


英飞凌推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT


凭借 25°C时典型饱和压降 (VCE(sat)) 为1.05 V的傲人成绩，此类新型 IGBT成功地将效率水平提升到一个新的高度 —— 用 L5 系列代替它的前辈 TRENCHSTOP IGBT，使效率在NPC1拓扑中提升高达 0.1％，在 NPC 2 拓扑中提升 0.3％。再加上VCE(sat)的温度系数为正，保持高效率的同时还能直接并联——树立了20kHz 以下频率的IGBT的行业标杆。铸造新 L5系列灵魂的 TRENCHSTOP5技术，不但能提供无与伦比的低传导损耗，还能将25℃时的总开关损耗降至1.6 mJ。综上所述，在低开关频率应用场合使用英飞凌新推出的低饱和压降 IGBT 能提升效率，增加可靠性并且缩小系统的尺寸。



英飞凌推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT


第一波面世的新L5 IGBT系列采用业界标准的TO-2473针封装技术。此外，为了满足需要进一步增强效率的应用场合，英飞凌还提供 TO-247 4针开尔文-发射极封装版（Kelvin-Emitter package）的 L5 IGBT。与标准的 TO-247 3针封装版相比，TO-247 4针封装版的开关损耗减少了 20％。因此，L5与TO-247 4针封装的结合，不但创造了终极版低传导能耗和低开关损耗成绩，还帮助英飞凌巩固了在为高功率市场提供高度创新并且与众不同的产品方面的领先地位。

配置规格
新型低饱和压降L5系列有30A和75A两种规格，一种是单IGBT形式，另一种则合装有英飞凌的超快Rapid 1和Rapid 2硅二极管。TO-247 4针开尔文-发射极封装版有75A规格。