ARM DDR SDRAM 初始化 details, 控制器, 存储器, 记录

yuyang911220

目录：  1.DDR SDRAM 简介   
     2.DDR 控制器初始化以及DDR SDRAM初始化流程
             3.ARM编程初始化DRAM Controller 和DDR SDRAM细节details
备注：  由于DDR SDRAM时序比较复杂，具体时序细节在未来的另一篇博文用FPGA来设计DDR SDRAM控制器中记录。   用FPGA来设计DDR SDRAM控制器相对于直接使用ARM片上的DRAM Controller 要复杂的多。



1.DDR SDRAM introduction
DDR SDRAM本质上就是一个存储器件。它是易失性存储器件。掉电后数据就消失。    你可以把它想象成和简单的单端口RAM和双端口RAM功能一样，可以通过读，写命令，以及对应的地址来访问内部数据。但是它又不像普通的RAM。
(1)首先>>    DDR SDRAM在使用前要做一系列的初始化工作。初始化工作包括使能时钟，预充电，自刷新，等待200clks ,设置模式寄存器以及扩展模式寄存器等。初始化完成后，才能进入读写数据状态 。   而且在工作工程中要定期进行刷新，防止电荷丢失掉。
(2)其次>>
DDR SDRAM 芯片本身有很多参数需要来设置。
2.1  比如，在写操作时，你先要设定行(row)，然后过一段时间再设定列（column）。这段时间就叫RCD （Row Column Delay )【行地址到列地址的有效时间】
2.2 还有，在读操作时，读命令发出之后数据不会立即被读出，要经过一定的时钟周期。 而这段延时就叫CAS Latency(Column Address Strobe latency)
2.3 自动刷新时间的设置： Ddr
sdram芯片一般来说是每64ms刷新一次，刷新是整个bank 都要刷新，即有多少行需要来刷新，如果行地址为A12-A0，即有2.*（13）=8192行
，即刷新一行需要64ms/8192时间。   
还有一些参数，如有时间，今后更新博客中完善。  
（3）再者>>   DDR SDRAM的行地址和列地址共用同一地址总线，不过这个地址总线何时被用来做行地址或列地址，可以翻看DDR 数据手册，时序是关键。
（4）数据读写时，是在时钟上升沿和下降沿都会有数据传输。这就是DDR SDRAM速度快于SDRAM的原因,这也是名字的由来（Double Data rate SDRAM）。   
2.DDR 控制器初始化以及DDR SDRAM初始化流程
见图：  

3.ARM编程初始化DRAM Controller 和DDR SDRAM细节details
按着上图所示操作流程，依次写下即可，设置好相关寄存器的值，参考S3C6410手册以及你板子上所用DDR SDRAM芯片手册。sdram初始化子函数如下。