二、FALSH的加锁与解锁。 按照PM0042给出的描述，这个没什么悬念和问题，直接操作KEYR即可。
[cpp] view plaincopyprint? 
- // Ltype=0/解锁 Ltype>0/加锁
- void Flash_LockControl(uint8 Ltype)
- {
- if(Ltype==0){
- if(FLASH->CR&FLASH_CR_LOCK){
- FLASH->KEYR=0x45670123;
- FLASH->KEYR=0xCDEF89AB;
- }
- }else FLASH->CR|=FLASH_CR_LOCK;
- }
三、FLASH的页/片擦除。
根据文档给出的流程，我们只能按页擦除和片擦除，页大小从低容量到大容量略有不同，大容量为2048字节/页，其它为1024字节/页，且写入地址必面按页对齐，一定要注意。页擦除和片擦除流程分别如下：
上面的流程没有给出BSY之后的处理，事实上，还有其它的工作要做，仔细看编程手册上对于FLASH->CR寄存器相关位置位与复位的描述。
[cpp] view plaincopyprint?
- /*-------------------------------------------------------------------------------
- Func: 擦除FLASH
- Note: PageIndex/页编号 PageCount/页数[=0xFFFF为片擦除]
- -------------------------------------------------------------------------------*/
- uint8 Flash_EreasePage(uint16 PageIndex,uint16 PageCount)
- {
- uint8 R;
- if(PageCount==0)return 0xFF;
- Flash_LockControl(0); //FLASH解锁
- if((PageIndex==0xFFFF)&&(PageCount==0xFFFF)){ //全片擦除
- FLASH->CR|=FLASH_CR_MER; //设置整片擦除
- FLASH->CR|=FLASH_CR_STRT; //启动擦除过程
- R=Flash_WaitBusy(); //等待擦除过程结束
- if(!(FLASH->SR&FLASH_SR_EOP))R=0xFF; //等待擦除过程结束
- FLASH->SR|=FLASH_SR_EOP;
- FLASH->CR&=(~(FLASH_CR_STRT|FLASH_CR_MER));
- Flash_LockControl(1); //锁定FLASH
- return R;
- }
- while(PageCount--){
- FLASH->CR|=FLASH_CR_PER; //选择页擦除
- FLASH->AR=(uint32)PageIndex*FLASH_PAGE_SIZE; //设置页编程地址
- FLASH->CR|=FLASH_CR_STRT; //启动擦除过程
- R=Flash_WaitBusy(); //等待擦除过程结束
- if(R!=0)break; //擦除过程出现未知错误
- if(!(FLASH->SR&FLASH_SR_EOP))break; //等待擦除过程结束
- FLASH->SR|=FLASH_SR_EOP;
- PageIndex++;
- if(PageIndex>=FLASH_PAGE_COUNT)PageCount=0;
- }
- FLASH->CR&=(~(FLASH_CR_STRT|FLASH_CR_PER));
- Flash_LockControl(1); //重新锁定FLASH
- return R;
- }
以上方法将FLASH页擦除和片擦除放到一起，页擦除时可以擦除连续的指定页数。在BSY之后又判断了EOP位，并复位STRT和PER或MER位，这是PM0042里面没有提到的，完全没有提到，只有CR寄存器描述中稍有提到，但是非常重要。
三、FLASH的数据写入，即编程。
按文档PM0042第9页描述，STM32F系列编程时只能按16位写入，这点要非常清楚，切记。手册给出的流程：
以上流程也是一样，在BSY之后并没有合理的善后工作，事实上，读出数据并检验这将使数据写入过程更慢，占用时间，同时，笔者也认为几乎没必要这样每次都处理。一般的做法是，先全部写，写完后再读出来检查与比较。 [cpp] view plaincopyprint?
- /*-------------------------------------------------------------------------------
- Func: 编程FLASH
- Note: Addr/编程地址 Buffer/数据源 Length/长度
- -------------------------------------------------------------------------------*/
- uint8 Flash_WriteDatas(uint32 Addr,uint16 *Buffer,uint16 Length)
- {
- uint8 R=0;
- uint16 *FlashAddr=(uint16 *)Addr;
- Flash_LockControl(0); //解锁FLASH
- while(Length--){
- FLASH->CR|=FLASH_CR_PG;
- *FlashAddr++=*Buffer++; //写入数据
- R=Flash_WaitBusy(); //等待编程结束
- if(R!=0)break;
- if(!(FLASH->SR&FLASH_SR_EOP))break; //等待编程结束
- FLASH->SR|=FLASH_SR_EOP;
- }
- Flash_LockControl(1);
- return R;
- }
以上方法实现了数据的写入过程，应当注意的是，FLASH的写入实际上只能把原数据的高电平位写入低电平位，即只能从位1写成位0，因此必须保证所写入的这地址在此之前已被擦除过，否则可能写入不正确。但不会有任何的错误发生，只是实际写入的数据与想写入的数据不一样。 最值得注意的是，PM0042前几页有反复提到，在进行FLASH写入时进行FLASH的读操作将会导致总线锁住，我实际的测试情况不是锁住，而是锁死，MCU死机。并没有得到PM0042里面所说的等写完后能进行读，而是直接死掉。 四、FLASH数据的读出。 这个是最简单的，就像从FLASH读取字符串一样，直接读取即可。
[cpp] view plaincopyprint?
- void FLASH_ReadDatas(uint32 Addr,uint16 *Buffer,uint16 Length)
- {
- uint16 *FlashAddr=(uint16 *)Addr;
- while(Length--)*Buffer++=*FlashAddr++;
- }
以上方法实现数据读出，虽为uint16 类型，但实际上可为任意类型。 ------------------------------------------------------------- 最近发现在CSDN上发代码非常痛苦，越来越不好操作，不知道是否是不会弄。 | 
