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STM32使用fsmc控制NOR flash 例程

STM32使用fsmc控制NOR flash 例程

一、基本概念(详细内容见st网站stm32应用笔记AN2784)
1. FSMC配置
控制一个NOR闪存存储器,需要FSMC提供下述功能:
●选择合适的存储块映射NOR闪存存储器:共有4个独立的存储块可以用于与NOR闪存、SRAM和PSRAM存储器接口,每个存储块都有一个专用的片选管脚。
●使用或禁止地址/数据总线的复用功能。
●选择所用的存储器类型:NOR闪存、SRAM或PSRAM。
●定义外部存储器的数据总线宽度:8或16位。
●使用或关闭同步NOR闪存存储器的突发访问模式。
●配置等待信号的使用:开启或关闭,极性设置,时序配置。
●使用或关闭扩展模式:扩展模式用于访问那些具有不同读写操作时序的存储器。
因为NOR闪存/SRAM控制器可以支持异步和同步存储器,用户只须根据存储器的参数配置使用到的参数。
FSMC提供了一些可编程的参数,可以正确地与外部存储器接口。依存储器类型的不同,有些参数是不需要的。
当使用一个外部异步存储器时,用户必须按照存储器的数据手册给出的时序数据,计算和设置下列参数:
●ADDSET:地址建立时间
●ADDHOLD:地址保持时间
●DATAST:数据建立时间
●ACCMOD:访问模式 这个参数允许 FSMC可以灵活地访问多种异步的静态存储器。共有4种扩展模式允许以不同的时序分别读写存储器。 在扩展模式下,FSMC_BTR用于配置读操作,FSMC_BWR用于配置写操作。(译注:如果读时序与写时序相同,只须使用FSMC_BTR即可。)
如果使用了同步的存储器,用户必须计算和设置下述参数:
●CLKDIV:时钟分频系数
●DATLAT:数据延时
如果存储器支持的话,NOR闪存的读操作可以是同步的,而写操作仍然是异步的。
当对一个同步的NOR闪存编程时,存储器会自动地在同步与异步之间切换;因此,必须正确地设置所有的参数。


2. 时序计算
如上所述,对于异步NOR闪存存储器或类似的存储,有不同的访问协议。首先要确定对特定存储器所需要使用的操作协议,选择的依据是不同的控制信号和存储器在读或写操作中的动作。
对于异步NOR闪存存储器,需要使用模式2协议。如果要使用的存储器有NADV信号,则需要使用扩展的模式B协议。
我们将使用模式2操作M29W128FL,不使用任何扩展模式,即读和写操作的时序是一样的。这时NOR闪存控制器需要3个时序参数:ADDSET、DATAST和ADDHOLD。
需要根据NOR闪存存储器的特性和STM32F10xxx的时钟HCLK来这些计算参数。
基于图3和图4的NOR闪存存储器访问时序,可以得到下述公式:
写或读访问时序是存储器片选信号的下降沿与上升沿之间的时间,这个时间可以由FSMC时序参数的函数计算得到:
写/读访问时间 = ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1)) × HCLK
在写操作中,DATAST用于衡量写信号的下降沿与上升沿之间的时间参数:
写使能信号从低变高的时间 = tWP = DATAST × HCLK
为了得到正确的FSMC时序配置,下列时序应予以考虑:
●最大的读/写访问时间
●不同的FSMC内部延迟
●不同的存储器内部延迟
因此得到:
((ADDSET + 1) + (DATAST + 1)) × HCLK = max (tWC, tRC)
DATAST × HCLK = tWP
DATAST必须满足:
DATAST = (tAVQV + tsu(Data_NE) + tv(A_NE))/HCLK – ADDSET – 4
继承事业,薪火相传
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