首页 | 新闻 | 新品 | 文库 | 方案 | 视频 | 下载 | 商城 | 开发板 | 数据中心 | 座谈新版 | 培训 | 工具 | 博客 | 论坛 | 百科 | GEC | 活动 | 主题月 | 电子展
返回列表 回复 发帖

凌力尔特推出LTPoE++、PoE+ 和 PoE 兼容受电设备 (PD) 接口控制器

凌力尔特推出LTPoE++、PoE+ 和 PoE 兼容受电设备 (PD) 接口控制器

关键词: 接口控制 , LTPoE
高效率 LTPoE++ PD 控制器集成了正激式 / 反激式控制器

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出LTPoE++、PoE+ 和 PoE 兼容受电设备 (PD) 接口控制器 LT4276,该器件面向需要 2W 至 90W 功率的应用。LT4276 集成了一个 PD 控制器和一个隔离式开关稳压器控制器,能够在辅助电源的支持下以正激和反激式拓扑实现同步工作。这种集成通过减少组件数量和所占用的电路板面积,简化了前端 PD 设计,从而允许 LT4276A (LTPoE++)、LT4276B (PoE+) 和 LT4276C (PoE) 仅用一个 IC 高效地为 PD 负载供电。

通过将功率预算扩展至 4 个新的功率级 (38.7W、52.7W、70W 和 90W),凌力尔特的 LTPoE++ 标准扩展了对如今那类功率非常高的应用之支持,例如微微蜂窝基站、标牌和室外安防摄像机。与集成功率MOSFET 的传统 PD 控制器不同,LT4276 控制一个外部 MOSFET,以显著地降低 PD 产生的总体热量并最大限度提高电源效率,这在较高功率级时尤其重要。这种新方法允许用户按照应用的具体热量及效率要求调整 MOSFET,从而允许在必要时使用 RDS(ON) 低至 30mΩ 的MOSFET。100V 额定输入电压意味着,LT4276 很容易承受最常见的以太网电压浪涌而不被损坏,并针对这种浪涌保护 PD。

LT4276 有工业和扩展温度级版本,分别支持 –40°C 至 85°C 和 –40°C 至 125°C 工作温度范围,采用符合  RoHS  标准的小型 28 引线 4mm x 5mm QFN 封装。LT4276 的千片批购价为每片 2.25 美元,已开始批量供货。LT4276 提供了从凌力尔特现有 PD 产品升级的途径,包括 LT4275 LTPoE++ PD 控制器,LT4276 还可无缝地连接至任何凌力尔特最新的 PSE 控制器,包括单端口 LTC4274、4 端口 LTC4266、8 端口 LTC4290 / LTC4271 芯片组和 12 端口 LTC4270 / LTC4271 芯片组。LT4276 还可以与 LT4321 理想二极管桥式控制器一起使用,以最大限度提高可用功率,并减少在 PD 产生的热量。如需更多信息,请登录 www.linear.com.cn/LTPoE++



性能概要:LT4276
•    具正激 / 反激式控制器的 IEEE 802.3af/at 和 LTPoE++ 90W 受电设备控制器
•    LT4276A 支持以下所有标准:
o    LTPoE++ 38.7W、52.7W、70W 和 90W
o    符合 IEEE 802.3at (25.5W) 规范
o    符合 IEEE 802.3af (高达 13W) 规范
•    LT4276B 符合 IEEE 802.3at/af 规范
•    LT4276C 符合 IEEE 802.3af 规范
•    出色的浪涌保护 (100V 绝对最大值)
•    宽结温范围 (–40°C 至 125°C)
•    低至 9V 的辅助电源支持
•    反激式操作无需光隔离器
•    外部热插拔 (Hot Swap™) N 沟道 MOSFET 用于实现最低功耗和最高的系统效率
•    利用 LT4321 理想二极管桥可实现 >94% 的端到端效率
•    采用 28 引线 4mm x 5mm QFN 封装


返回列表