解读ARM GPU的三个发展趋势（3） 英特尔, 处理器, 下一代, 晶体管, 产品

yuyang911220

趋势三：工艺升级，2014年ARM处理器采用finFET技术？
很多人认为ARM处理器在传统工艺上的升级空间已经不大，在英特尔大张旗鼓地宣传3D晶体管技术的时候，ARM 其实也也已经开始了下一代工艺技术的研发，Kevin透露ARM的PIP（物理IP）部门早与TSMC以及Global Foundries合作开始了下一代工艺finFET晶体管工艺技术的研发，这是前所未有的，预计新的工艺技术将在TSMC的16nm工艺 和Global Foundries上的14nm上实现，而新工艺可能会用于ARM下一代64位处理器上。
在具体产品发展上，在ARM公布了最新的A50系列处理器后，已经有AMD、博通（Broadcom）、Calxeda、海思半导体、三星及意法半导体等七家公司获得A53与A57处理器授权，其中，STE声称将在2014年出货A53处理器，这是否意味着2014年ARM处理器将采用finFET工艺技术？
在今年1月召开的2012国际电子器件会议(IEDM)上，TSMC已经展示有关finFET晶体管工艺技术，台积电将提供的16nm工艺金属布线部分直接沿袭20nm工艺，将晶体管部分换成16nm工艺的FinFET。与20nm工艺相比，可使晶体管的工作速度提高20%～25%，使耗电量降低35%。由于金属布线部分在20nm工艺和16nm工艺间通用，因此两工艺的芯片面积相同。与intel的工艺不同，台积电的finFET晶体管掺入了锗材料。


TSMC展示有关finFET晶体管工艺技术以下为采用主要GPU的处理器性能对比

GPU	应用芯片	应用设备	运算能力（GFLOPS at 200 MHz）	GFLOPS in    SoC
PowerVR SGX543MP4+	PSVita	PlayStation Vita	25.6	25.6+
PowerVR SGX543MP2	Apple A5	Apple iPhone 4S	12.8	16       at 250 MHz*
Mali-400 MP4	Exynos 4210	Samsung Galaxy S II	7.2	9.9       at 275 MHz
"Kal-El" GeForce	Tegra 3	ASUS Transformer Prime	4.8	9.6       at 400 MHz*
PowerVR SGX540	OMAP4460	Galaxy Nexus	3.2	6.1       at 384 MHz
Adreno 220	MSM8260	HTC Sensation	N/A	N/A
ULP GeForce	Tegra 2	Motorola Xoom	3.2	5.3       at 333 MHz
PowerVR SGX540	OMAP4430	Motorola Droid Razr	3.2	4.8       at 304 MHz
ULP GeForce	Tegra 2	LG Optimus 2X	3.2	4.8       at 300 MHz
PowerVR SGX540	Hummingbird	Samsung Galaxy S	3.2	3.2       at 200 MHz
Adreno 205	MSM8255	HTC Titan	N/A	N/A
PowerVR SGX535	Apple A4	iPhone 4	1.6	1.6       at 200 MHz*
PowerVR SGX530	OMAP3630	Motorola Droid X	1.6	1.6       at 200 MHz
Adreno 200	QSD8250	HTC HD7	N/A	N/A