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尽管目前全球存储器四强竞局维持平衡状态，然近期各厂投资动作频频，包括三星电子（Samsung Electronics）、美光（Micron）与东芝（Toshiba）为量产3D NAND Flash，纷投资建厂或以既有生产线进行转换，SK海力士（SK Hynix）亦可能利用M10厂生产3D NAND Flash，业界预期未来3~4年内存储器产业既有平衡竞局恐将被打破。 半导体业者表示，3D NAND技术是未来存储器产品主流，然技术层次及难度十分高，目前在制程良率上仍面临许多挑战，预计2016年真正顺利量产的存储器大厂只有三星，其他业者仍在全力追赶中，全球3D NAND赛局甫揭开序幕。
值得注意的是，3D NAND技术带来突破性的成本降低，将攸关固态硬碟（SSD）市场发展，未来云端伺服器及企业SSD应用，亟需成本降低的存储器解决方案来驱动市场快速成长，目前看来3D NAND技术能做到大量取代传统硬碟，让SSD市场渗透率飞跃前进。
现阶段全球存储器产业维持四强寡占的平衡竞局，但各厂台面下投资动作暗潮汹涌，三星与SK海力士在2015年初宣布大规模的长期设备投资计划，美光与东芝亦致力发展NAND Flash新技术，建厂计划如火如荼进行中，业界预期存储器产业平衡状态可能在未来3~4年内被打破。
根据韩媒D-Daily报导，SK海力士最近宣布未来10年内将投资46兆韩元（约396亿美元），兴建包含利川M14在内的3个新厂，若加计维护及建物设备投资，总投资额高达75兆韩元（约645亿美元）。
目前SK海力士拥有的12吋生产线有利川M10、忠北清州M11、M12及大陆无锡HC2，其中，利川与无锡厂生产DRAM，清州厂生产NAND Flash，原本M10厂负责的DRAM会移转到M14新厂生产，M10厂20纳米级DRAM产能为13万片12吋晶圆，M14新厂产能为20万片，未来将可视需求快速扩产，至于M10厂未来可能用来生产系统芯片、NAND Flash或做为研发设施。
三星正在京畿道平泽建设新厂，预定2017年上半启用，第一期投资额15.6兆韩元（约134亿美元），估计12吋晶圆产量可达20万片，但生产项目仍未定；原本打算做为系统LSI厂的华城17产线，先改为生产DRAM；至于三星大陆西安NAND Flash厂首期生产规模为每月10万片12吋晶圆。
美光在购并尔必达（Elpida）之后，将新加坡DRAM厂转为生产NAND Flash，且致力发展3D NAND Flash，新加坡10X厂第1季开始进行量产3D NAND Flash的设备转换，预定2016年中投入量产。至于美光与英特尔（Intel）合资公司IM Flash，则陆续购并美国与新加坡NAND Flash工厂投入营运。
另外，日厂东芝与美国SanDisk合资的3家大型NAND Flash制造厂亦陆续启动，其中，属于超大型工厂的晶圆五厂已完成第二阶段投资开始启动，改建为尖端生产线的晶圆二厂最近在进行测试，预估2016年完工后将扩大供应量。 |
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