本帖最后由 yuchengze 于 2016-12-27 15:50 编辑
台积电10奈米以下先进制程投资计画
虽然摩尔定律（Moore’s Law）能否持续推进，产业界众说纷云，但晶圆代工龙头台积电靠着技术上的创新，可望让先进制程依循摩尔定律，持续推进到5奈米及3奈米世代。为此，台积电将以南科园区为据点，投入5,000亿元资金，建立支援5奈米及3奈米的庞大产能。
科技部长杨弘敦昨（6）日抢先发布台积电将投入5,000亿元，建立5奈米及3奈米庞大产能的投资规画。台积电对此表示，与科技部有针对后续扩产计画进行沟通，包括讨论到建地及水电供应等问题，但5奈米及3奈米仍在规划中，尚无法说明及评论相关细节。
半导体先进制程竞争激烈，台积电目前面临的不仅是韩国三星电子的庞大抢单压力，台积电大客户之一的处理器大厂英特尔，也持续透露对晶圆代工市场抱持兴趣的看法。因此，台积电要在晶圆代工市场维持龙头大厂地位，除了要拥有庞大的产能因应不同客户需求外，在先进制程的推进上亦要领先竞争同业才行。
台积电第4季开始量产新一代10奈米鳍式场效电晶体（FinFET）制程，首座支援10奈米产能的中科12寸厂Fab 15第5期工程，已正式进入量产阶段，而第6期工程将在明年上半年进入量产，第7期工程则会在明年下半年放量投片。
台积电将10奈米及7奈米视为同一制程世代，有9成以上的设备可以共通互用，所以，Fab 15的第5期至第7期等3座晶圆厂，都可支援10奈米及7奈米制程。台积电现已替联发科、苹果、海思等大客户代工10奈米手机晶片或应用处理器；至于7奈米的量产时间点将落在2017年底、2018年初，包括可程式逻辑闸阵列（FPGA）大厂赛灵思（Xilinx）、绘图晶片大厂辉达（NVIDIA）等，已决定采用台积电7奈米生产新一代晶片。
台积电预期7奈米量产的2年后，也就是2020年就可顺利进入5奈米世代，并已开始进行5奈米制程的研发。除了在材料上可能有所改变，FinFET结构也可能变更，5奈米将是台积电首度将极紫外光（EUV）微影技术导入量产的主要制程节点。因此，台积电将在南科园区Fab 14第8期至第10期，规划建立5奈米制程庞大产能，全部完工后月产能可望上看10万片规模。
在5奈米之后的3奈米，若依摩尔定律进行，将在2022年后进入量产阶段，而台积电将在南科持续扩建Fab 15新厂第11期及第12期工程，业界认为，台积电3奈米应该会以EUV微影技术为主力的先进制程节点，不仅成本可望大幅降低，还能提供更好的功耗。 |
