第一不是高频化，因为高频化从硅器件也基本可以实现，比如通过拓扑的变化或软开关等。碳化硅第一优势应该是它的高压特性，它可以填补硅器件在1000伏特以上IGBT不足的优势，进而简化拓扑，比如把一些三电平dcdc变化传统H桥，这个在成本和实用性上优势比较明显，像一些高压输入EV的DCDC或充电系统，另外更高电压（6.6kV，35kV等级）的电力系统电力电子应用，现在已经Cree有10kV耐压的SiC样品。
第二才是是高频化，针对应用当然是首先在硬开关电路上，比如BOOST MPPT。它确实可以把电感做小，用铁硅铝可实现高压800V以上输出，开关频率在45khz-100khz 20kw-50KW。
第三是软开关电路，这个主要是LLC 桥式电路，由于高耐压，所以可以把三电平LLC变为传统两电平LLC。另外，软开关电路LLC, 关断是硬关断，碳化硅可以减小关断损耗，再来就是减小死区时间和超快体二极管，这可以进一步提高效率，这个在EV，ESS应用上已经越来越明显。
第四点主要是它的双向导通特性，这个基本是MOSFET都一样，日本有用SiC MOSFET做成了Matrix Converter。
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