首款软性储存芯片将用于穿戴式装置 对苯二甲酸, 氧化镁, 智能

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据报道指出，日前在美国的一个国际科技团队，正式宣布研发出一种全新技术，也就是团队将高性能磁性储存芯片移植到一块软性塑胶表面，且无损其性能。并且透过软性塑胶的特性，发展成透明薄膜状的“软性智能塑胶芯片”。其拥有优异的资料储存和处理能力，未来若正式商品化，将有望成为未来穿戴式产品中重要的储存元件。

报道中表示，研发该款“软性智能塑胶芯片”，团队首先将氧化镁基磁性隧道结(MTJ)种植在一个矽表面上，接着蚀刻掉下面的矽，再用使用一种转印方法，在一个原料由聚对苯二甲酸乙二醇酯制成的软性塑胶表面，植入了一个磁性储存芯片。经过测试，新设备在磁阻式随机存取记忆体(MRAM)上的动作明确。由于MRAM在处理速度、能耗、以及可断电后储存资料等性能上，都要高于传统随机存取记忆体芯片。因此，“软性智能塑胶芯片”未来与MRAM的整合后，将开创另一种新储存元件的诞生。
目前，在软性电子设备市场中，以软性磁存放装置的发展最受关注。因为，它们将是未来穿戴电子产品，以及生物医学设备进行资料存储和处理的关键零组件。尽管，科学家已在不同样式的储存芯片和材料上进行了多项研究。但是，在软性基座上打造高性能存储芯片而无损其性能方面，研究上仍面临巨大困难。
而目前研发出该项“软性智能塑胶芯片”的国际团队，为新加坡国立大学、韩国延世大学、比利时根特大学、新加坡材料研究所及新加坡工程研究所的科学家所组合而成。该团队表示，目前已经在美国和韩国为这项技术申请了专利。目前正在进一步提升该设备磁阻效能的实验，并期望未来将产品应用于其他电子设备上。