|
- UID
- 1029342
- 性别
- 男
|
随着如手机、PDA、MP3等大量便携式电子设备需求猛增，此类电池供电产品电压较低，同时内部供电电压又有多种,故需要一种即能低压工作，又具有三端稳压器的使用便利的降压器件。同时还要具备小的封装体积，于是LDO被研发出来并大量使用。这类器件不仅满足了小体积, 随着如手机、PDA、MP3等大量便携式电子设备需求猛增，此类电池供电产品电压较低，同时内部供电电压又有多种,故需要一种即能低压工作，又具有三端稳压器的使用便利的降压器件。同时还要具备小的封装体积，于是LDO被研发出来并大量使用。这类器件不仅满足了小体积,小压差低压工作特性,而且又具有低耗电能力。
日本理光公司所生产的R1114系列是一种高输出电压精度、低耗电、低导通阻抗、高纹波抑制以及采用CMOS工艺的电压调节芯片。由于该系列具有良好的线性瞬时特性和有负载时的瞬时特性，因此非常适合于手持式通讯设备的供电。R1114的封装形式采用小体积SOT-23-5和SC-82AB，因此有利于在一块板上进行高密度的安装。此外，该系列还内置过流保护电路，可外接陶瓷电容，具有快速放电功能。R1114的原理框图如图1所示。
图1中设定LDO
Vout的内部电阻已确定，在订货时只需向生产商讲明需求的电压值即可，故整个电路的使用如三端稳压器一样方便。在输入端存在一个大于Vout的直流电压，Vout端将出现一个预定的电压，其中Vdd-Vout即LDO的压差。在Vout已定的情况下，当Vdd发生跌落并跌至一个值时，LDO将会退出稳压。此时Vout也将会下降。在LDO退出稳压前，此时也有一个Vdd-Vout，这一值为LDO的最低压差。LDO最低压差和Iout有关，Iout越大则最低压差也将越大。最低压差同时也和内部的功率器件导通电阻值有关,在R1114系列的D系列中LDO内部在Vout和GND之间连接了一个MOS管，当CE脚不选时，MOS管导通可以使Vout端连接的外部电容通过MOS管快速放电。其外围电路如图2所示。
当使用这些芯片的时候，应注意两上方面：1.在这些IC中，为了使负载电流在发生变化的情况下，相位补偿也能使芯片正常工作。要用一个频率特性与等效串联电阻稳定的输出电容。
2.使Vdd和GND脚的布线要足够粗。假如它们的阻抗太高，产生的杂波可能会影响输出。在Vdd和GND脚之间接入一个1.0mF的电容，该电容必需尽可能的接近IC相应的脚位。 |
|
